[发明专利]半导体器件及制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体鳍上方形成金属栅极；

将所述金属栅极切割成第一金属栅极和第二金属栅极，其中，在切割所述金属栅极之后，在所述第一金属栅极的侧壁上存在氧化物；

从所述第一金属栅极的所述侧壁移除所述氧化物；以及

用电介质材料填充所述第一金属栅极和所述第二金属栅极之间的区域，其中，所述电介质材料与所述第一金属栅极的所述侧壁物理接触。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在从所述侧壁移除所述氧化物之后从所述第一金属栅极的第二侧壁移除间隔件，移除所述间隔件产生空隙。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：帽盖所述空隙以形成空气间隔件。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，移除所述氧化物是在115℃至120℃之间的温度下执行的。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，移除所述氧化物是在1.5托至2托之间的压力下执行的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，移除所述氧化物是至少部分地利用氟化氢和氨的混合物执行的。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，切割所述金属栅极是至少部分地利用循环沉积和蚀刻工艺执行的。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

移除位于半导体鳍上方的间隔件之间的虚设栅极；

利用栅极堆叠替换所述虚设栅极；

利用循环蚀刻工艺移除所述栅极堆叠的一部分以形成开口，所述循环蚀刻工艺沿所述开口的侧壁留下氧化物材料；

沿所述开口的所述侧壁移除所述氧化物材料；

在移除所述氧化物材料之后，利用电介质材料填充所述开口；

将蚀刻剂施加到所述间隔件并且还施加到所述电介质材料和所述栅极堆叠之间的界面的一部分，其中，所述蚀刻剂移除所述间隔件以形成空隙，但不插入所述电介质材料和所述栅极堆叠之间；以及

帽盖所述空隙以形成与所述栅极堆叠相邻的空气间隔件。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：在利用所述电介质材料填充所述开口之后，凹陷层间电介质以形成凹槽。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：利用第二电介质材料填充所述凹槽。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述循环蚀刻工艺的每个循环包括：

沉积衬里材料；

蚀刻穿过所述衬里材料；以及

使用所述衬里材料作为掩模来蚀刻所述栅极堆叠。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，移除所述氧化物是在115℃至120℃之间的温度下执行的。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，移除所述氧化物是在1.5托至2托之间的压力下执行的。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，移除所述氧化物是至少部分地利用氟化氢和氨的混合物执行的。