[发明专利]显示装置、制造显示装置的方法以及电子设备

说明书

本发明公开了显示装置、制造显示装置的方法以及电子设备。一种根据本公开的显示装置，包括：在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管以及具有顶栅结构的薄膜晶体管。具有顶栅结构的薄膜晶体管的栅极电极与布线层设置在同一层中。在根据本公开的制造显示装置的方法中，在制造包括在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管和具有顶栅结构的薄膜晶体管的显示装置时，具有顶栅结构的薄膜晶体管的栅极电极与布线层形成在同一层中。

本申请是分案申请，其母案申请的申请号为2015800388433，申请日为2015年4月20日，发明名称为“显示装置、制造显示装置的方法以及电子设备”。

技术领域

本公开涉及一种显示装置、一种制造显示装置的方法以及一种电子设备，具体而言，涉及一种平面型(平板型)显示装置、一种制造显示装置的方法以及一种包括显示装置的电子设备。

背景技术

液晶显示器(LCD)装置或有机电致发光(EL)显示装置称为平面型显示装置(平板显示器)。此外，作为平面型显示装置的一种驱动方法，存在有源矩阵方法。在有源矩阵显示装置中，薄膜晶体管(TFT)通常用作驱动像素的发光单元(发光部件)的有源部件。

作为在薄膜晶体管(在某些情况下，在后文中也称为“TFT”)内需要的基本性能，可以例证在写入信号时的大驱动电流、在保持信号时的小漏电流、以及在部件之间的特性的小幅变化。另一方面，在像素控制TFT和外围电路控制TFT内需要的性能值不必相同，但是具有合适的值。因此，需要单独生成在像素控制TFT和外围电路控制TFT之间的元素特性。在像素内使用多个TFT配置像素电路时，这点在TFT之间也相似。

在相关技术中，通过改变在形成像素的显示区域与形成外围电路的外围区域之间的TFT的离子注入的浓度，单独生成TFT的元素特性(例如，参考专利文献1)。

引用列表

专利文献

专利文献1：JP H9-45931A

发明内容

技术问题

然而，在相关领域的技术中，为了改变离子注入的浓度，需要增加工艺。因此，由于伴随着增加工艺，成本增大，所以成本竞争力具有缺点。

根据本公开，本公开的目标在于，提供一种能够单独生成元素特性而不增加工艺的显示装置、一种制造显示装置的方法以及一种包括显示装置的电子设备。

问题的解决方案

为了实现该目标，根据本公开的一种显示装置包括在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管以及具有顶栅结构的薄膜晶体管。具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极与布线层设置在同一层内。

为了实现该目标，根据本公开的一种制造显示装置的方法，该显示装置包括在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管以及具有顶栅结构的薄膜晶体管，该方法包括：在与布线层的同一层内形成具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极。

为了实现该目标，根据本公开的一种电子设备包括：显示装置，其包括在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管以及具有顶栅结构的薄膜晶体管，并且其中，具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极与布线层设置在同一层内。

本发明的有利效果

根据本公开，由于与布线层的同一层用作具有顶栅结构的薄膜晶体管的栅极电极，所以在结构内能够单独生成元素特性，而不增加工艺。

注意，本公开根本不限于显示在本文中描述的效果，并且可以显示在本说明书中描述的任何效果。此外，在本说明书中描述的效果没有限制性，而是仅仅是实例，并且可以具有额外效果。

附图说明

图1是示出应用本公开的技术的有源矩阵显示装置的示意性基本配置的系统配置图。