[发明专利]半导体装置的制备方法

说明书

一种半导体装置的制备方法，包括：提供一基板，所述基板中形成有沟槽，所述沟槽的槽壁上附着有氮化钛，所述沟槽中填充有导电材料；对沟槽中的导电材料进行干法蚀刻以部分去除沟槽中的导电材料；对沟槽的槽壁进行惰性气体离子轰击；对沟槽的槽壁进行湿法蚀刻；以及在所述沟槽中的导电材料上形成绝缘材料。通过利用惰性气体离子轰击沟槽的槽壁，从而破坏沟槽的槽壁上附着的杂质和氮化钛与槽壁的结合，以便后续更好地蚀刻去除槽壁上附着的杂质和氮化钛，进而保证产品整体的性能。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的制备方法。

背景技术

半导体制程中，为了让每单位面积的晶体管数量增加，减少芯片成本，必需依靠微缩制程来达成。然而在微缩制程的同时，小尺寸在制程上产生许多需要克服的问题。举例来说，动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)领域中，是透过埋入式通道阵列晶体管(Buried Channel Array Transistor,BCAT)结构，来达到在DRAM单位面积不变的条件下，增加有效通道长度，压制因短通道产生的漏电流。在BCAT结构下，需要在基板(substrate)向下蚀刻出小沟槽(trench)，作为晶体管的栅极(gate electrode)。小沟槽的槽壁上附着氮化钛(TiN)和其他杂质，如聚合物(polymer)等生成物。因制程微缩，此小沟槽的深宽比较大，导致后续的蚀刻难以深入沟槽去除槽壁上附着的氮化钛(TiN)和其他杂质，进而影响产品的性能。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种晶体管的制备方法，其可有效解决上述问题。

一种半导体装置的制备方法，包括如下步骤：

提供一基板，所述基板中形成有沟槽，所述沟槽的槽壁上附着有氮化钛，所述沟槽中填充有导电材料；

对沟槽中的导电材料进行干法蚀刻以部分去除沟槽中的导电材料；

对沟槽未填充导电材料的部分的槽壁进行惰性气体离子轰击；

对沟槽的槽壁进行湿法蚀刻；以及

在所述沟槽中的导电材料上形成绝缘材料。

本发明的制备方法，通过利用惰性气体离子轰击沟槽的槽壁，从而破坏沟槽的槽壁上附着的杂质和氮化钛与槽壁的结合，以便后续更好地蚀刻去除槽壁上附着的杂质和氮化钛，进而保证产品整体的性能。

附图说明

图1是本发明的半导体装置动态随机存取存储器的制备方法流程图。

图2A-2H为半导体装置的制备方法的示意图。

图3为半导体装置的基板的俯视示意图。

主要元件符号说明

具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

附图中示出了本发明的实施例，本发明可以通过多种不同形式实现，而并不应解释为仅局限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本发明更为全面和完整的公开，并使本领域的技术人员更充分地了解本发明的范围。为了清晰可见，在图中，层和区域的尺寸被放大了。

除非另外定义，这里所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所述领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还应当理解，比如在通用的辞典中所定义的那些的术语，应解释为具有与它们在相关领域的环境中的含义相一致的含义，而不应以过度理想化或过度正式的含义来解释，除非在本文中明确地定义。