[发明专利]一种易解理半导体晶体的加工方法

权利要求书

1.一种易解理半导体晶体的加工方法，其特征在于具有如下步骤：

S1、将氧化镓晶片固定在工作台上，其下设有力传感器；

S2、启动粗粒度金刚石砂轮和工作台旋转；

S3、将粗粒度金刚石砂轮进给至氧化镓晶片上方，直至力传感器出现示值后停止进给，设定粗磨削的初始进给速度，最大磨削力F粗和进给量后对氧化镓晶片进行粗磨削直至达到设定进给量，粗磨削过程中保证磨削力在F粗±0.1N的范围内波动，所述粗粒度金刚石砂轮的磨料粒度大小为W10-W14；

S4、停止进给继续对粗磨削后的氧化镓晶片进行无进给磨削，之后，抬起粗粒度金刚石砂轮，并停止粗粒度金刚石砂轮和工作台旋转；

S5、将粗粒度金刚石砂轮更换成细粒度金刚石砂轮，启动细粒度金刚石砂轮和工作台旋转；

S6、将细粒度金刚石砂轮进给至无进给磨削后的氧化镓晶片上方，直至力传感器出现示值后停止进给，设定精磨削的初始进给速度，最大磨削力F细和进给量后对氧化镓晶片进行精磨削直至达到设定进给量，精磨削过程中保证磨削力在F细±0.1N的范围内波动；所述细粒度金刚石砂轮的的磨料粒度大小为W1-W5；

所述步骤S3中，将粗粒度金刚石砂轮进给至氧化镓晶片上方，直至力传感器出现示值后停止进给的具体步骤如下：

将粗粒度金刚石砂轮进给至接近氧化镓晶片上方，之后，以10μm/min的进给速度缓慢向氧化镓晶片进给，直至力传感器出现示值后停止进给；

所述步骤S3中，所述初始进给速度为0.5-1μm/min，所述最大磨削力F粗为20-30N，所述进给量为10-20μm；

所述步骤S3中，通过负反馈系统保证粗磨削过程中磨削力在F粗±0.1N的范围内波动；

数据处理器实时采集力传感器测得的磨削力信号，并放大处理输送给所述负反馈系统，所述负反馈系统将其与设定的最大磨削力进行比较，不断地反馈给控制系统控制粗粒度金刚石砂轮进给速度，进给速度的增减程度与所受实时磨削力与设定的最大磨削力的差值相关，以保证粗磨削过程中磨削力在F粗±0.1N的范围内波动；

所述无进给磨削的参数除进给速度为零外，其余参数和所述粗磨削参数一致；

所述无进给磨削的磨削时间为3min；

所述步骤S6中，将细粒度金刚石砂轮进给至无进给磨削后的氧化镓晶片上方，直至力传感器出现示值后停止进给的具体步骤如下：

将细粒度金刚石砂轮进给至接近无进给磨削后的氧化镓晶片上方，之后，以10μm/min的进给速度缓慢向氧化镓晶片进给，直至力传感器出现示值后停止进给；

所述步骤S6中，所述初始进给速度为0.5-1μm/min，所述最大磨削力F细为30-60N，所述进给量为5-10μm；

所述步骤S6中，通过负反馈系统保证精磨削过程中磨削力在F细±0.1N的范围内波动；

数据处理器实时采集力传感器测得的磨削力信号，并放大处理输送给所述负反馈系统，所述负反馈系统将其与设定的最大磨削力进行比较，不断地反馈给控制系统控制细粒度金刚石砂轮进给速度，进给速度的增减程度与所受实时磨削力与设定的最大磨削力的差值相关，以保证精磨削过程中磨削力在F细±0.1N的范围内波动。

2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，氧化镓晶片为圆形晶片，其吸附在工作台的真空吸盘上或固定在工作台上；

或，所述氧化镓晶片为周向均匀分布在圆盘上的多个小尺寸氧化镓晶片，所述圆盘吸附在工作台的真空吸盘上或固定在工作台上。

3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述粗磨削、所述无进给磨削和所述精磨削过程中均通过冷却液冷却，冷却液的流量为4-6L/min，冷却液为去离子水。

4.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述粗粒度金刚石砂轮的转速为600-1000r/min，转速方向为顺时针；

所述工作台的转速200-400r/min，转速方向为逆时针。

5.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述细粒度金刚石砂轮的转速为1000-2400r/min，转速方向为顺时针；

所述工作台的转速300-400r/min，转速方向为逆时针。