[发明专利]一种倒置结构紫外有机发光器件双电子注入层的制备方法有效
| 申请号： | 201910867534.7 | 申请日： | 2019-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN110518139B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张小文;李皖蜀;徐凯;许积文;陈国华;王立惠;卢宗柳 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学;中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 广州市一新专利商标事务所有限公司 44220 | 代理人： | 侯腾腾 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 倒置 结构 紫外 有机 发光 器件 电子 注入 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种倒置结构紫外有机发光器件双电子注入层的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
（1）用无水乙醇洗涤CsWOx粉末，将过滤出来的细粉做干燥处理，然后加入去离子水，在80°C的条件下溶解，得到CsWOx水性溶液；
（2）称取粒径为35-45nm的金属钼粉末以及粒径10-14μm的金属钨粉末加入到含有40ml异丙醇的聚四氟乙烯内衬容器中，金属钼粉末与金属钨粉末重量比1:（1.8-2.0），然后再加入10ml的H2O2搅拌1小时，得到黄色的悬浮液；
（3）将整个聚四氟乙烯内衬容器放入高压反应釜中，在160°C的环境下加热12小时，冷却至室温后用高速离心机收集沉淀物，所收集的沉淀物再用无水乙醇离心洗涤多次，得到MoWOx乙醇溶液；
（4）将所述CsWOx水性溶液旋涂在处理好的ITO表面上，并在120°C大气环境下做退火处理；然后在其上再旋涂所述MoWOx乙醇溶液，并在120°C大气环境下做退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学;中国有色桂林矿产地质研究院有限公司，未经桂林电子科技大学;中国有色桂林矿产地质研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910867534.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种像素结构有机发光二极管及其制备方法
- 下一篇：一种面板结构及其封装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
