[发明专利]隔离结构制造方法

权利要求书

1.一种隔离结构制造方法，其中，包括：

采用第一光刻胶掩膜，在衬底上的第一区域和第二区域中形成有源区，所述第一区域和所述第二区域彼此相邻；

去除所述第一光刻胶掩膜，采用第二光刻胶掩膜遮挡所述衬底第二区域，先在所述衬底第一区域中形成第一掺杂类型的第一阱区，之后采用所述有源区作为硬掩膜，在所述第一掺杂类型的第一阱区的部分表面形成第一掺杂类型的补偿区，之后去除所述第二光刻胶掩膜；

采用所述有源区作为硬掩膜，沿所述第一区域与所述第二区域之间的衬底表面向下延伸以形成隔离结构，

所述补偿区与至少部分所述隔离结构接触。

2.根据权利要求1所述的隔离结构制造方法，其中，所述隔离结构为场氧区或沟槽。

3.根据权利要求1所述的隔离结构制造方法，其中，形成所述第一阱区的所述第一掺杂类型的掺杂剂的注入能量使得所述掺杂剂能够穿透所述有源区。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，形成所述补偿区的第一掺杂类型的掺杂剂为氟化磷离子，所述掺杂剂的注入能量使得所述掺杂剂不能够穿透所述有源区。

5.根据权利要求1所述的隔离结构制造方法，其中，在形成所述第一阱区的过程中，采用多次高能注入的工艺以形成所述第一阱区。

6.根据权利要求1所述的隔离结构制造方法，其中，还包括：

在形成所述有源区的步骤之前，采用第三光刻胶掩膜遮挡所述衬底的第一区域，在衬底上的第二区域中形成第二掺杂类型的第二阱区，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反，所述第二阱区与所述第一阱区彼此相邻。

7.根据权利要求6所述的隔离结构制造方法，其中，在形成所述第二阱区的过程中，在所述衬底的表面形成台阶差。

8.根据权利要求1所述的隔离结构制造方法，其中，还包括：

在形成所述有源区和形成所述第一阱区的步骤之间，采用第三光刻胶掩膜遮挡所述衬底的第一区域，在衬底上的第二区域中形成第二掺杂类型的第二阱区，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反，所述第二阱区与所述第一阱区彼此相邻。

9.根据权利要求8所述的隔离结构制造方法，其中，在形成所述第二阱区的过程中，采用高能注入的工艺以形成所述第二阱区。

10.根据权利要求1所述的隔离结构制造方法，其中，还包括：

在形成所述隔离结构的步骤之后，去除所述有源区。

11.根据权利要求1所述的隔离结构制造方法，其中，形成所述有源区的步骤包括：

在所述衬底上形成氧化层；

在所述氧化层上形成氮化层；以及

采用第一光刻胶掩膜遮挡，刻蚀所述氮化层、所述氧化层，以暴露所述衬底的第一区域和第二区域的部分表面。

12.根据权利要求11所述的隔离结构制造方法，其中，所述氧化层为二氧硅层，所述氮化层为氮化硅层。

13.根据权利要求1所述的隔离结构制造方法，其中，所述第一掺杂类型为P型。

14.根据权利要求1所述的隔离结构制造方法，其中，所述隔离结构形成于半导体器件中，用于隔离两个相邻的阱区或者两个相邻的掺杂区或者相邻的阱区与掺杂区。

15.根据权利要求14所述的隔离结构制造方法，其中，所述半导体器件包括但不限于：BCD器件、Bi-CMOS器件、CMOS器件。