[发明专利]基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块及其制备方法与应用

权利要求书

1.基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，其特征在于：所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块包括引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、金属导线、塑封壳、外部引线；所述控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都粘接于引线框架上；所述引线框架的散热面朝上；所述粘接采用银浆粘接，粘接时的烘烤温度为170～190℃、时间为0.5～2小时；所述控制元件、驱动元件、功率开关元件依次连接；所述温度检测元件与控制元件连接；所述引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、金属导线位于塑封壳内部；所述外部引线位于塑封壳外部。

2.根据权利要求1所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，其特征在于：所述驱动元件包括集成低压驱动元件、集成高压驱动元件或者集成高低压驱动元件；所述功率开关元件包括高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件；所述塑封壳为全包封塑封壳或者半包封塑封壳；外部引线与引线框架为一体结构。

3.根据权利要求2所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，其特征在于：所述高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件分别位于引线框架两侧；所述温度检测元件位于高压侧功率开关元件一侧；所述高压侧功率开关元件为1～10个；所述低压侧功率开关元件为1～10个；当驱动元件为集成高低压驱动元件时，所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块还包括配线元件，所述配线元件粘接于引线框架上；当塑封壳为半包封塑封壳时，所述散热智能功率半导体模块还包括绝缘散热片，所述绝缘散热片与引线框架的散热面粘接连接；当塑封壳为全包封塑封壳时，所述引线框架为凸型结构，所述凸型结构的开口朝着塑封壳内部下端，所有元件都位于凸型结构的开口上表面。

4.根据权利要求1所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，其特征在于：将控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都粘接于引线框架上，打线后将粘接所有元件的引线框架置入模具中，进行塑封，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块；或者，将控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都粘接于引线框架上，然后在引线框架的散热面采用导热胶粘贴散热片，打线后将粘接所有元件以及绝缘散热片的引线框架置入模具中，进行塑封，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块；所述塑封包括注塑、冷却、后固化。

5.根据权利要求4所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，其特征在于：注塑的温度为170～180℃、时间为120～140秒；冷却的温度为室温、时间为20~80秒；后固化的温度为170～190℃、时间为3～7小时。

6.基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，其特征在于：所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块包括引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、金属导线、塑封壳、外部引线、散热基板；所述散热基板为铝基板或者是陶瓷/铜复合基板；所述控制元件、驱动元件采用银浆粘接于引线框架上；所述功率开关元件、温度检测元件采用锡膏粘接于散热基板的导电层上；所述引线框架采用锡膏粘接于散热基板的导电层上；所述控制元件、驱动元件、功率开关元件依次连接；所述温度检测元件与控制元件连接；所述引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、金属导线位于塑封壳内部；所述外部引线位于塑封壳外部；所述塑封壳为半包封塑封壳。

7.根据权利要求6所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块，其特征在于，将控制元件、驱动元件分别用银浆粘接于引线框架上；将功率开关元件、温度检测元件用锡膏粘接于散热基板的导电层上，再将粘接有元件的引线框架用锡膏粘接于散热基板的导电层上，进行回流焊接；打线后将粘接引线框架的散热基板置入模具中，进行塑封，得到基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块；所述塑封包括注塑、冷却、后固化。