[发明专利]衬底处理设备、衬底处理模块和半导体器件制造方法

说明书

提供了一种衬底处理设备、衬底处理模块和半导体器件制造方法。所述衬底处理模块，包括：处理腔室，其被配置为对衬底执行处理工艺；传送腔室，其设置在所述处理腔室的第一侧上，其中，所述衬底在所述处理腔室和所述传送腔室之间被传送；光学发射光谱(OES)系统，其设置在所述处理腔室的第二侧上，并被配置为监视所述处理腔室；和参考光源，其设置在所述传送腔室中，并被配置为发射参考光以对所述OES系统进行校准。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0170925的优先权，其公开内容通过引用全部合并于此。

技术领域

与示例实施例一致的设备和方法涉及衬底处理设备、衬底处理模块和制造半导体器件的方法，更具体地，涉及包括光学发射光谱(OES)系统的衬底处理设备、包括OES系统的衬底处理模块以及使用OES系统的半导体器件制造方法。

背景技术

就制造半导体器件和平板显示装置的处理的小型化和进步而言，等离子体衬底处理设备正在被用于执行例如蚀刻处理、化学气相沉积处理等。等离子体衬底处理设备被配置为向工作台或电极提供射频能量以在等离子体处理腔室内产生电场或磁场，并通过电磁场产生等离子体以对衬底进行处理。

发明内容

一个或多个实施例提供了一种具有改进的可靠性的衬底处理设备、衬底处理模块和半导体器件制造方法。

根据示例实施例的一方面，提供了一种衬底处理模块，包括：处理腔室，其被配置为对衬底执行处理工艺；传送腔室，其设置在处理腔室的第一侧上，其中，衬底在处理腔室和传送腔室之间被传送；光学发射光谱(OES)系统，其设置在处理腔室的第二侧上，并被配置为监视处理腔室；和参考光源，其设置在传送腔室中，并被配置为发射参考光以对OES系统进行校准。

根据另一示例实施例的一方面，提供了一种衬底处理设备，包括：腔室，其被配置为在其中容纳衬底；传送机器人，其设置在腔室中，并且被配置为将衬底从腔室传送到腔室的外部；和参考光源，其设置在腔室中，并且被配置为发射参考光以监视腔室的外部。

根据另一示例实施例的一方面，提供了一种半导体器件制造方法，包括：对设置在处理腔室中的光学发射光谱(OES)系统进行校准，其中，通过将具有不同波长光谱的多个参考光从参考光源照射到OES系统来对OES系统进行校准；将衬底提供到处理腔室中；并且在处理腔室中对衬底执行等离子体处理。

附图说明

图1示出了根据示例实施例的衬底处理模块的简化平面图；

图2示出了沿图1的线I-I'截取的截面图；

图3示出了展示根据示例实施例的使用衬底处理模块的半导体器件制造方法的流程图；

图4至图9示出了用于描述根据图3的流程图的半导体器件制造方法的各种图和衬底处理模块；

图10A示出了展示根据示例实施例的参考光源的简化图；

图10B示出了用于描述根据示例实施例的描述图10A中所示的参考光源的操作的示意图；

图11A示出了展示根据另一示例实施例的参考光源的简化图；

和

图11B示出了根据示例实施例的描述图11A中所示的参考光源的操作的示意图。

具体实施方式

图1示出了根据示例实施例的衬底处理模块1的简化平面图。衬底处理模块1可以对衬底S执行等离子体处理。在示例实施例中，衬底S可以表示用于制造半导体器件的各种半导体衬底，诸如晶圆。