[发明专利]竖直存储器装置

权利要求书

1.一种竖直存储器装置，包括：

衬底，其包括单元阵列区域和围绕所述单元阵列区域的阶梯区域；

多个栅电极，其位于所述衬底的所述单元阵列区域和所述阶梯区域上，所述多个栅电极在第一方向上隔离开以免彼此直接接触，所述多个栅电极中的每个栅电极在第二方向上延伸，所述多个栅电极还在第三方向上隔离开以免彼此直接接触，所述第一方向与所述衬底的上表面实质上垂直，所述第三方向与所述衬底的上表面实质上平行，并且所述第二方向与所述衬底的上表面实质上平行并且与所述第三方向实质上垂直；和

沟道，其位于所述衬底的所述单元阵列区域上，所述沟道在所述第一方向上延伸穿过所述多个栅电极中的一个或更多个栅电极，

其中，所述多个栅电极中的第一栅电极在所述第二方向上的端部限定所述衬底的所述阶梯区域上的所述第二方向上的第一台阶和所述第三方向上的第二台阶，所述第二台阶分别与相同水平高度处的所述第一台阶连接。

2.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，其中

所述多个栅电极中的第二栅电极在所述第二方向上的端部限定所述第二方向上的第三台阶和所述第三方向上的第四台阶，所述第二栅电极分别与所述第一栅电极处于相同水平高度处，并且

所述第四台阶和所述第二台阶相对于在所述第二方向上延伸的线对称，并且所述第四台阶分别与相同水平高度处的所述第三台阶连接。

3.根据权利要求2所述的竖直存储器装置，还包括：

绝缘模制件，其位于相同水平高度处的所述第二台阶与所述第四台阶之间。

4.根据权利要求3所述的竖直存储器装置，还包括：

底图案，其位于所述衬底上，

其中，所述栅电极、所述沟道和所述绝缘模制件位于所述底图案上。

5.根据权利要求4所述的竖直存储器装置，还包括：

电路图案，其位于所述衬底与所述底图案之间；和

穿通过孔，其延伸穿过所述绝缘模制件和所述底图案，所述穿通过孔与所述电路图案电连接。

6.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，其中，所述第二台阶中的至少两个台阶在所述第三方向上的长度不同。

7.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，其中，所述第二台阶在所述第三方向上的长度等于相同水平高度的对应第一台阶在所述第二方向上的长度。

8.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，其中

所述多个栅电极中的高于所述第一栅电极的第三栅电极在所述第二方向上的端部限定所述衬底的所述阶梯区域上的第五台阶，并且

所述第五台阶在所述第一方向上与所述第二台阶中的每个台阶的至少一部分不重叠。

9.根据权利要求8所述的竖直存储器装置，其中，所述第五台阶在所述第一方向上与所述第二台阶中的每个台阶的远离所述衬底的所述单元阵列区域的边缘的部分不重叠。

10.根据权利要求8所述的竖直存储器装置，其中，所述第五台阶在所述第一方向上与所述第一台阶重叠。

11.根据权利要求8所述的竖直存储器装置，其中，所述沟道的宽度在所述第一栅电极中的最上栅电极与所述第三栅电极中的最下栅电极之间在所述第一方向上从所述沟道的底部向所述沟道的顶部逐渐减小。

12.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，还包括：

多个接触插塞，其接触所述第二台阶中的各对应的台阶的上表面。