[发明专利]MEMS器件、器件和MEMS热传感器的制造方法

权利要求书

1.一种制造微电子机械系统热传感器的方法，包括：

在衬底上形成具有第一电极指的第一感测电极和具有第二电极指的第二感测电极，其中，所述第一电极指和所述第二电极指以交叉指型配置形成并且悬置于所述衬底之上；

形成在一对第一电极指之间具有矩形横截面的图案化层；

改性所述图案化层以在所述一对第一电极指之间具有弯曲横截面；

在改性图案化层上形成弯曲的感测元件以耦合到所述一对第一电极指；以及

去除所述改性图案化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，改性所述图案化层包括退火所述图案化层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一感测电极和所述第二感测电极包括：

在所述衬底中形成凹槽；

将晶圆接合到具有所述凹槽的所述衬底的侧面上的凸起区域；以及

减薄接合的晶圆。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在所述凹槽中形成第一牺牲层；

在所述第一牺牲层上与所述第一电极指和所述第二电极指之间的空间内形成第二牺牲层；以及

在去除所述改性图案化层之后去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述弯曲的感测元件和所述改性图案化层之间形成支撑元件。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述弯曲的感测元件包括：

形成所述弯曲的感测元件的第一元件；以及

在形成所述第一元件之后形成所述弯曲的感测元件的第二元件，其中，所述第一元件形成在所述第二元件上。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括在形成所述第二元件之后形成支撑元件。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述弯曲的感测元件包括：

在所述改性图案化层上沉积第二元件层；

在所述第二元件层上沉积第一元件层；

图案化所述第一元件层以形成所述弯曲的感测元件的第一元件；以及

蚀刻所述第二元件层以形成所述弯曲的感测元件的第二元件，其中，所述第一元件形成在所述第二元件上。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述图案化层包括：

沉积聚合物材料层；以及

图案化所述聚合物材料层。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过所述弯曲的感测元件的温度敏感材料来感测温度；以及

通过响应于感测的温度使所述一对第一电极指弯曲来改变所述第一感测电极和所述第二感测电极之间的电容。

11.一种制造器件的方法，包括：

在衬底上形成具有可移动的第一电极指的第一感测电极和具有可移动的第二电极指的第二感测电极，其中，所述第一电极指和所述第二电极指以交叉指型配置形成；

在一对第一电极指之间形成具有弯曲横截面的图案化层；

在所述图案化层上形成弯曲的支撑元件以耦合到所述一对第一电极指；

在所述弯曲的支撑元件上形成弯曲的感测元件；以及

去除所述图案化层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成具有所述弯曲横截面的所述图案化层包括：

在所述一对第一电极指之间形成具有矩形横截面的图案化层；以及

退火具有所述矩形横截面的所述图案化层。