[发明专利]一种锑基太阳能电池用空穴传输层及其制备方法以及应用

权利要求书

1.一种锑基太阳能电池用空穴传输层，其特征在于，为二氧化硒薄膜。

2.一种如权利要求1所述的空穴传输层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在锑基太阳能电池的前置结构的吸收层表面涂覆二氧化硒溶液，干燥后，得到空穴传输层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述二氧化硒溶液包括二氧化硒、氨水和溶剂；所述二氧化硒在所述二氧化硒溶液中的浓度为0.1～0.2M；所述氨水在所述二氧化硒溶液中的浓度为0.03～0.05M。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂选自乙醇、甲醇和水中的一种或多种。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述锑基太阳能电池为硫化锑、硒化锑或者硫硒化锑电池；所述前置结构为正型结构。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述涂覆方式为旋涂，所述旋涂转速为2000～8000rpm，转时为20～60s。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述干燥方式选自自然干燥、真空干燥或加热干燥，所述加热干燥的温度控制为70～100℃，加热时间为2～10min。

8.一种锑基太阳能电池，其特征在于，包括权利要求1所述的空穴传输层或权利要求2～7任意一项所述的制备方法制备得到的空穴传输层。

9.根据权利要求8所述的锑基太阳能电池，其特征在于，包括依次复合的导电玻璃基底、电子传输层、吸收层、空穴传输层以及电极。

10.根据权利要求9所述的电池，其特征在于，所述导电玻璃基底为FTO导电玻璃基底；

所述电子传输层为硫化镉或二氧化钛薄膜；

所述吸收层为硫化锑、硒化锑或者硫硒化锑薄膜。