[发明专利]集成电路装置的形成方法在审
| 申请号： | 201910870889.1 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110957271A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗裔;李宗霖;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/762;H01L29/10 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 于磊;陈曦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成电路装置的形成方法，包括：
在一基板上进行一鳍状物蚀刻制程，以形成多个第一沟槽以定义一第一区中的多个第一鳍状物，以及多个第二沟槽以定义一第二区中的多个第二鳍状物；
形成一氧化物衬垫层于该第一区中的该些第一鳍状物与该第二区中的该些第二鳍状物上；
形成一氮化物衬垫层于该第一区与该第二区中的该氧化物衬垫层上；
在自该第一区移除该氮化物衬垫层之后，形成一隔离材料于该氧化物衬垫层与该氮化物衬垫层上，其中该隔离材料填入该些第一沟槽与该些第二沟槽中；以及
使该隔离材料、该氧化物衬垫层、与该氮化物衬垫层凹陷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910870889.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成芯片及其形成方法
- 下一篇：车辆的侧部车体构造
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
