[发明专利]一种底部填充胶的填充方法有效
申请号: | 201910871497.7 | 申请日: | 2019-09-16 |
公开(公告)号: | CN110729205B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 陈立军;徐友志;曹立强 | 申请(专利权)人: | 上海先方半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/67 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李静 |
地址: | 200131 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 底部 填充 方法 | ||
本发明属于半导体封装技术领域,具体涉及一种底部填充胶的填充方法。该方法包括向底部填充胶中加入磁性材料,形成复合填充胶;在填充过程中,外加磁场带动磁性材料并进而带动所述复合填充胶完成填充过程;该方法通过外加磁场带动磁性材料,能够给予底部填充胶持续的吸引力,使底部填充胶的运动速度大大增加,减少了大尺寸芯片不完全填充的问题,大大缩短了填充时间,提高了生产效率。
技术领域
本发明属于半导体封装技术领域,具体涉及一种底部填充胶的填充方法。
背景技术
随着电子信息产业基础的电子元器件产业的快速发展,电子产品的微小型化与高度集成化成为发展趋势。伴随电子产品的小型化、便携化、功能多样化的发展趋势,电子产品中芯片封装的封装间距也变得越来越小,由于较小的焊接高度,机械应力引起的剪切力使得芯片封装极易断裂;同时芯片与基板、基板与基板之间的热膨胀系数不一致,在芯片工作时会引起焊点脱落或断裂,严重影响了芯片的可靠性。
倒装芯片封装技术是把芯片通过焊球直接连接在有机基板上,同时还需要底部填充胶(underfill,中文又称底填胶、下填料、底部填充剂、底填剂、底填料、底充胶)填充在芯片与基板之间由焊球连接形成的间隙,将芯片、焊球凸点和基板紧紧的黏附在一起,即底部填充技术。该技术不仅可以降低芯片与基板之间因热膨胀系数差异所造成的应力冲击,提高了焊点的热疲劳寿命,对提高电子封装的可靠性有不可忽视的作用。
传统的底部填充工艺,将底部填充胶沿芯片边缘注入,借助于液体的毛细作用,底部填充胶会被吸入并向芯片基板的中心流动,填满后加热固化。但是在底部填充胶填充到芯片和有机基板之间的狭缝的过程中,填充胶在芯片下的流速一直被认为是底部填充工艺中批量生产的瓶颈,且流动过程会直接影响到封装的可靠性。因此,如何提高底部填充胶的流动性对电子器件封装的可靠性具有重要的理论和生产意义。
发明内容
因此,本发明要解决的技术问题在于提高底部填充胶的填充速率慢、填充时间较长等缺陷,从而提供了一种底部填充胶的填充方法。
为此,本发明提供了以下技术方案。
本发明提供了一种底部填充胶的填充方法,包括,
向底部填充胶中加入磁性材料,形成复合填充胶;
在填充过程中,外加磁场带动磁性材料并进而带动所述复合填充胶完成填充过程。
进一步地,在填充过程中,所述外加磁场由设置于待填充器件至少一侧的磁铁提供。
所述磁铁在所述待填充器件的预填充区域对应的范围内运动。
所述磁铁在所述待填充器件的预填充区域对应的范围内作圆周运动、离心运动、向心运动和循环往复运动中的至少一种。
所述待填充器件为电子封装器件。
所述底部填充胶的填充方法,包括,
将复合填充胶置于所述电子封装器件的芯片和/或母板的一侧或多侧,并预热;
复合填充胶流动至芯片和/或母板的另一侧,对基板与芯片和/或基板与母板间的缝隙进行填充;
其中,在所述复合填充胶流动过程中,在所述电子封装器件的基板和/或母板对应所述预填充区域的位置设置磁铁,并使所述磁铁在对应所述预填充区域的范围内运动。
进一步地,复合填充胶对基板与芯片和/或基板与母板间的缝隙进行填充后,经加热固化后形成填充的电子封装器件;所述加热的温度为30-400℃。
所述磁铁的运动速率为1μm/s-1m/s。
所述磁性材料为铁磁材料、亚铁磁材料、软磁材料和硬磁材料中的至少一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先方半导体有限公司,未经上海先方半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910871497.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体衬底、半导体封装及其形成方法
- 下一篇:球栅阵列器件植球的通用装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造