[发明专利]一种半导体异质结气敏材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种半导体异质结气敏材料，其特征在于：该气敏材料为直径1.6-2.5μm的片层状微球，比表面积为20.9m²g^-1-23.9m²g^-1，微球为由氧化锌和氧化镍组成的复合材料，氧化锌氧化镍复合材料为六方晶型。

2.根据权利要求1所述的半导体异质结气敏材料，其特征在于：氧化镍的摩尔百分比为0.1-1%。

3.根据权利要求2所述的半导体异质结气敏材料，其特征在于：氧化镍的摩尔百分比为0.3-0.6%。

4.根据权利要求3所述的半导体异质结气敏材料，其特征在于：氧化镍的摩尔百分比为0.5%。

5.权利要求1至4任一所述的半导体异质结气敏材料的制备方法，其特征在于：所述方法为二价无机锌盐和二价无机镍盐溶于水，加入表面活性剂、沉淀剂，反应得到的产物经过洗涤干燥得到前驱体材料；

前驱体材料在空气气氛下反应得到复合金属氧化物多孔微球气敏材料。

6.根据权利要求5所述的半导体异质结气敏材料，其特征在于：二价无机锌盐为二水合乙酸锌或六水合硝酸锌。

7.根据权利要求5所述的半导体异质结气敏材料，其特征在于：二价镍盐选自四水合乙酸镍或六水合硝酸镍。

8.根据权利要求5所述的半导体异质结气敏材料，其特征在于：表面活性剂为聚乙烯吡咯烷酮或苯磺酸钠。

9.根据权利要求5所述的半导体异质结气敏材料，其特征在于：沉淀剂为碳酸铵或氢氧化钠。

10.根据权利要求5所述的半导体异质结气敏材料，其特征在于：生成前驱体的反应条件为100-400℃反应2-30小时。

11.根据权利要求5所述的半导体异质结气敏材料，其特征在于：反应条件为150-200℃反应1.5-3.5h。

12.根据权利要求5所述的半导体异质结气敏材料，其特征在于：反应条件为180℃反应2h。

13.根据权利要求5所述的半导体异质结气敏材料的制备方法，其特征在于：二价无机锌盐和二价无机镍盐的混合物、表面活性剂、沉淀剂的质量比为1:1-1.5:0.8-1.2。

14.根据权利要求5所述的半导体异质结气敏材料的制备方法，其特征在于：前驱体在空气气氛下反应的条件为：反应温度为200-600℃反应1-3小时。

15.根据权利要求14所述的半导体异质结气敏材料的制备方法，其特征在于：反应温度为400-500℃反应1-3小时。

16.根据权利要求15所述的半导体异质结气敏材料的制备方法，其特征在于：反应温度为450℃反应1.5-2.5小时。

17.根据权利要求5所述的半导体异质结气敏材料的制备方法，其特征在于：复合金属氧化物多孔微球气敏材料中氧化镍的摩尔百分比为0.1-1%。

18.根据权利要求17所述的半导体异质结气敏材料的制备方法，其特征在于：复合金属氧化物多孔微球气敏材料中氧化镍的摩尔百分比为0.3-0.6%。

19.根据权利要求18所述的半导体异质结气敏材料的制备方法，其特征在于：复合金属氧化物多孔微球气敏材料中氧化镍的摩尔百分比为0.5%。