[发明专利]基于聚合物布洛赫表面波的太赫兹气体传感器在审
| 申请号： | 201910872328.5 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110763653A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 刘强;张驰;欧阳征标 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41;G01N21/25 |
| 代理公司： | 44288 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 贺红星 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气体传感器 光子晶体结构 被测气体 基底层 缺陷层 聚合物材料 半导体硅 聚合物 表面波 光栅层 折射率变化量 光子晶体层 角度灵敏度 灵敏度指标 频率灵敏度 测量谐振 仿真结果 间隔设置 依次连接 周期排列 石墨烯 偏移 角谱 频谱 制备 制作 | ||
1.一种基于聚合物布洛赫表面波的太赫兹气体传感器，包括自下而上依次连接的光栅层、缺陷层、光子晶体结构及基底层，其特征在于：所述光栅层间隔设置于所述缺陷层的一侧，所述缺陷层的另一侧与光子晶体结构的一侧连接，所述光子晶体结构的另一侧与基底层连接，所述光子晶体结构由聚合物材料制成。
2.如权利要求1所述的基于聚合物布洛赫表面波的太赫兹气体传感器，其特征在于：所述光子晶体结构包括N个周期交替堆积的单周期光子晶体结构，所述单周期光子晶体结构包括交叠的第一介电层和第二介电层，所述光子晶体结构的一侧通过第一介电层与所述缺陷层连接，所述光子晶体结构的另一侧通过第二介电层与所述基底层连接。
3.如权利要求2所述的基于聚合物布洛赫表面波的太赫兹气体传感器，其特征在于：所述第一介电层的折射率小于所述第二介电层的折射率，所述第一介电层的厚度大于所述第二介电层的厚度，所述缺陷层的厚度大于所述第一介电层的厚度。
4.如权利要求2所述的基于聚合物布洛赫表面波的太赫兹气体传感器，其特征在于：所述第一介电层由聚偏氟乙烯(PVDF)、对二甲苯、光敏化树脂(SLA)、环氧基干膜抗蚀剂、高密度聚乙烯(HDPE)、聚四氟乙烯(Teflon)、聚4-甲基戊烯-1(TPX)中的任意一种聚合物材料制成。
5.如权利要求2所述的基于聚合物布洛赫表面波的太赫兹气体传感器，其特征在于：所述第二介电层由聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚苯乙烯(PS)、涤纶树脂(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的任意一种折射率比第一介电层低的聚合物材料制成。
6.如权利要求2所述的基于聚合物布洛赫表面波的太赫兹气体传感器，其特征在于：所述第一介电层与所述第二介电层之间通过连续沉积方法、高温蒸汽法、或者旋涂法连接。
7.如权利要求2所述的基于聚合物布洛赫表面波的太赫兹气体传感器，其特征在于：所述N大于等于9。
8.如权利要求1所述的基于聚合物布洛赫表面波的太赫兹气体传感器，其特征在于：所述缺陷层和所述基底层也均由聚合物材料制成。
9.如权利要求1所述的基于聚合物布洛赫表面波的太赫兹气体传感器，其特征在于：所述缺陷层的厚度在20-100μm之间。
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