[发明专利]一种像素结构、CIS和终端

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括第一层光电二极管PD、第二层PD、与所述第一层PD相连接的第一读出电路和与所述第二层PD相连接的第二读出电路；其中，

所述第一层PD包括一种PD，所述一种PD用于对接收到的入射光中对应的特定波长的光进行共振吸收和光电转换，得到一种特定波长的光对应的电信号；

所述第二层PD放置于所述第一层PD的一侧，所述第二层PD包括两种PD，所述两种PD用于对经过所述第一层PD共振吸收后的入射光中一一对应的两种特定波长的光，进行共振吸收和光电转换，得到所述两种特定波长的光对应的电信号；

所述第一读出电路读出所述一种特定波长的光对应的电信号；

所述第二读出电路分别读出所述两种特定波长的光对应的电信号；

其中，在所述第一层PD和所述第二层PD中的任意两种PD互不相同；

其中，所述一种PD的数目为至少两个，所述两种PD的每种PD的数目为至少两个；

其中，所述第一层PD和所述第二层PD中的任意两种PD的光接收面的面积不同。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，当所述第一层PD包括第一种PD，所述第二层PD包括第二种PD和第三种PD时；

所述第一种PD用于根据所述第一种PD的光接收面的共振波长，对接收到的所述入射光中的第一特定波长的光进行共振吸收，将吸收到的光进行光电转换，得到所述第一特定波长的光对应的电信号；

所述第二种PD用于根据所述第二种PD的光接收面的共振波长，对接收到的对经过所述第一层PD共振吸收后的入射光中的第二特定波长的光进行共振吸收，将吸收到的光进行光电转换，得到所述第二特定波长的光对应的电信号；

所述第三种PD用于根据所述第三种PD的光接收面的共振波长，对接收到的对经过所述第一层PD共振吸收后的入射光中的第三特定波长的光进行共振吸收，将吸收到的光进行光电转换，得到所述第三特定波长的光对应的电信号；

所述第一读出电路读出所述第一特定波长的光对应的电信号；

所述第二读出电路分别读出所述第二特定波长的光对应的电信号和所述第三特定波长的光对应的电信号；

其中，所述第一种PD、所述第二种PD和所述第三种PD中每种PD的光接收面的共振波长为所述每种PD的光接收面发生共振吸收时的波长。

3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一特定波长，所述第二特定波长和所述第三特定波长包括：

以下三种波长的任意一种组合形式：红光波长，绿光波长，蓝光波长。

4.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述每种PD的光接收面的形状包括以下任意一项：圆形、正方形、三角形、五边形和六边形。

5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述每种PD的体积为圆柱体；

其中，所述每种PD的光接收面为所述圆柱体的其中一个圆形底面；所述每种PD的光接收面的共振波长与所述圆形底面的直径呈正相关性。

6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，

用于共振吸收蓝光波长的PD的光接收面的直径为60nm；

或者，用于共振吸收红光波长的PD的光接收面的直径为120nm；

或者，用于共振吸收绿光波长的PD的光接收面的直径为90nm。

7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括滤光片，所述滤光片放置于所述第一层PD的另一侧，其中，

所述滤光片用于接收所述入射光，将所述入射光透射至所述第一层PD。

8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二层PD还包括电荷传输电路，所述电荷传输电路与所述第一层PD相连接；其中，

所述电荷传输电路用于将所述第一层PD得到的电信号传输至所述第一读出电路。

9.一种互补金属氧化物半导体图像传感器CIS，其特征在于，所述CIS包括上述权利要求1至8中任一项所述的像素结构。

10.一种终端，其特征在于，所述终端包括上述权利要求9中所述的CIS。