[发明专利]能提高运算放大器性能的差分输入结构

权利要求书

1.一种能提高运算放大器性能的差分输入结构，包括主体部，所述主体部包括主体差分对管以及与所述主体差分对管适配连接的主体部电流镜，主体差分对管内的MOS管均为薄栅氧MOS管，主体差分对管包括主体第一薄栅氧MOS管以及与所述主体第一薄栅氧MOS管适配的主体第二薄栅氧MOS管；其特征是：

还包括与主体部适配连接的辅助部，所述辅助部包括辅助差分对管以及与所述辅助差分对管适配连接的辅助部电流镜，辅助差分对管内的MOS管均为厚栅氧MOS管，辅助差分对管包括辅助第一厚栅氧MOS管以及与所述辅助第一厚栅氧MOS管适配的辅助第二厚栅氧MOS管，辅助第一厚栅氧MOS管、辅助第二厚栅氧MOS管的导电沟道类型与主体第一薄栅氧MOS管、主体第二薄栅氧MOS管的导电沟道类型相一致；

还包括用于连接辅助部与主体部的电压传输管组，所述电压传输管组包括电压传输第一MOS管以及电压传输第二MOS管，辅助第一厚栅氧MOS管的栅极端通过电压传输第一MOS管与主体第二薄栅氧MOS管的栅极端连接，辅助第二厚栅氧MOS管的栅极端通过电压传输第二MOS管与主体第一薄栅氧MOS管的栅极端连接，电压传输第一MOS管的栅极端、电压传输第二MOS管的栅极端与辅助第一厚栅氧MOS管的源极端、辅助第二厚栅氧MOS管的源极端相互连接；

辅助第一厚栅氧MOS管的栅极端接收输入信号VP+，辅助第二厚栅氧MOS管的栅极端接收输入信号VN-，电压传输第一MOS管的栅端电压、电压传输第二MOS管的栅端电压能跟随输入信号VP+或输入信号VN-，经过电压传输第一MOS管、电压传输第二MOS管进行电压传输后，能使得主体第一薄栅氧MOS管的栅端电压与主体第二薄栅氧MOS管的栅端电压的差值保持稳定。

2.根据权利要求1所述的能提高运算放大器性能的差分输入结构，其特征是：所述电压传输第一MOS管的导电沟道类型与电压传输第二MOS管的导电沟道类型相一致，且电压传输第一MOS管的导电沟道类型与辅助第一厚栅氧MOS管的导电沟道类型、主体第一薄栅氧MOS管的导电沟道类型相反。

3.根据权利要求2所述的能提高运算放大器性能的差分输入结构，其特征是：主体第一薄栅氧MOS管的导电沟道类型、主体第二薄栅氧MOS管的导电沟道类型均为P沟道时，

主体部还包括PMOS管MP1，主体部电流镜包括NMOS管MN3以及NMOS管MN4，PMOS管的漏极端与主体第一薄栅氧MOS管的源极端、主体第二薄栅氧MOS管的源极端连接，PMOS管MP1的源极端与电源VDD连接；主体第一薄栅氧MOS管的漏极端与NMOS管NM3的漏极端、NMOS管MN3的栅极端以及NMOS管MN4的栅极端连接，主体第二薄栅氧MOS管的漏极端与NMOS管MN4的漏极端连接，NMOS管MN3的源极端以及NMOS管MN4的源极端均接地；电压传输第一MOS管的栅端电压、电压传输第二MOS管的栅端电压跟随输入信号VP+与输入信号VN-中的较小值；

辅助部还包括PMOS管MP2、辅助部电流镜包括NMOS管MN5以及NMOS管MN6，PMOS管MP2的源基地与电源VDD连接，PMOS管MP2的栅极端与PMOS管MP1的栅极端连接，PMOS管MP2的漏极端与电压传输第一MOS管的栅极端、电压传输第二MOS管的栅极端、辅助第一厚栅氧MOS管的源极端以及辅助第二厚栅氧MOS管的源极端连接；辅助第一厚栅氧MOS管的漏极端与NMOS管MN5的漏极端连接，辅助厚栅氧第二MOS管的漏极端与NMOS管MN6的漏极端、NMOS管MN6的栅极端以及NMOS管MN5的栅极端连接，NMOS管MN5的源极端以及NMOS管MN6的源极端均接地。

4.根据权利要求3所述的能提高运算放大器性能的差分输入结构，其特征是：PMOS管MP2的漏极端与电阻R1的一端、电压传输第一MOS管的栅极端以及电压传输第二MOS管的栅极端连接，电阻R1的另一端与辅助第一厚栅氧MOS管的源极端以及辅助第二厚栅氧MOS管的源极端连接。