[发明专利]传感器装置

权利要求书

1.一种传感器装置，具备：

元件基板；

检测部，具有位于所述元件基板的上表面的反应部、第一IDT电极以及第二IDT电极，所述反应部具有固定化膜且进行被检测物的检测，所述第一IDT电极产生朝向所述反应部传播的弹性波，所述第二IDT电极接收通过了所述反应部的所述弹性波；以及

保护膜，覆盖所述第一IDT电极和所述第二IDT电极，

所述反应部还具有固定化在所述固定化膜的上表面且与被检测物反应的反应物质，

所述固定化膜的上表面比所述元件基板的上表面中的所述第一IDT电极和所述第二IDT电极所位于的区域高，且比所述第一IDT电极的上表面和所述第二IDT电极的上表面中的至少一方低。

2.根据权利要求1所述的传感器装置，其中，

在所述元件基板的上表面，与所述第一IDT电极和所述第二IDT电极所位于的区域相比，所述反应部所位于的区域更低。

3.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，

所述固定化膜的材料与所述第一IDT电极和所述第二IDT电极的材料相同。

4.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，

所述固定化膜的厚度比所述第一IDT电极的厚度和所述第二IDT电极的厚度中的至少一方薄。

5.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，

所述固定化膜的上表面的表面粗糙度比所述第一IDT电极的上表面的表面粗糙度和所述第二IDT电极的上表面的表面粗糙度中的至少一方大。

6.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，

在所述元件基板的上表面，与所述第一IDT电极和所述第二IDT电极所位于的区域的表面粗糙度相比，所述反应部所位于的区域的表面粗糙度更大。

7.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，

所述元件基板的上表面中的所述固定化膜所位于的区域的表面粗糙度比所述固定化膜的上表面的表面粗糙度大。

8.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，

所述保护膜位于所述第一IDT电极和所述第二IDT电极中的至少一方与所述反应部之间。

9.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，

所述保护膜位置与所述反应部分离。

10.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，

在侧剖视下，在所述保护膜中的所述反应部侧的端部中，与上端相比，下端与所述固定化膜的距离更短。

11.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，

在侧剖视下，所述保护膜中的所述反应部侧的端部随着从上端朝向下端而向所述固定化膜侧倾斜。

12.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，

所述保护膜的厚度比所述第一IDT电极的厚度和所述第二IDT电极的厚度中的至少一方薄。

13.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，

所述第一IDT电极和所述第二IDT电极分别具有位置彼此分离的多个梳齿电极，

所述保护膜位置跨在所述多个梳齿电极中的相邻的两个梳齿电极之上以及露出在所述两个梳齿电极之间的所述元件基板之上。

14.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，

所述保护膜包含氧化硅。

15.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，

所述固定化膜包括位于所述元件基板的上表面的金属膜。

16.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中，

所述固定化膜包括位于所述元件基板的上表面的氧化膜。