[发明专利]发光二极管面板及其制作方法有效
申请号: | 201910874200.2 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN110676281B | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 罗国隆;刘品妙;陈昭文;吴宗典 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G09F9/33 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;郭海彬 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 面板 及其 制作方法 | ||
一种发光二极管面板包括第一基板、第二基板以及多个显示单元。显示单元配置于第一基板与第二基板之间。一个显示单元具有多个第一区以及被第一区所环绕的第二区。显示单元包括多个第一发光二极管、多条控制信号线与第二发光二极管。第一发光二极管的每N个构成一像素单元,且每一像素单元位于第一区的其中一者中,其中N为超过1的正整数。控制信号线配置于第一基板上,且分别朝向第一发光二极管延伸。第二发光二极管配置于第一基板上,位于第二区中,并被第一区围绕。第二发光二极管电性连接控制信号线的其中一条。
技术领域
本发明是有关于一种电子装置,且特别是有关于一种发光二极管面板。
背景技术
发光二极管具有高发光效能、省电、可靠度佳等功能,已广泛被应用于各种领域。在显示领域的应用上,更已发展出以微发光二极管作为显示结构的显示面板的技术。微发光二极管面板的制作方式,是将制作完成的微发光二极管阵列以批次转移的方式接合到基板上,再将接合有微发光二极管的基板与对向基板组立而完成。
微发光二极管的体积微小,其边长通常小于1毫米(mm),甚至随技术的发展已有边长小于10微米(μm)以下的微发光二极管晶粒。微发光二极管并不容易单独被测试也不容易将单颗微发光二极管独立的接合到基板上。因此,微发光二极管多为批次的转移到基板。在将微发光二极管批次的转移到基板上之前,微发光二极管并未经过测试,这导致转移到基板上的微发光二极管中可能有部分的微发光二极管是损坏的、失效的或是未顺利被转移的。因此,微发光二极管批次的转移到基板后,往往需要进一步进行检测步骤并且对应的修补失效的或是未顺利被转移的微发光二极管,才可以达到理想的良率。
发明内容
本发明提供一种微发光二极管面板,具有修补结构可供修补而达到理想的良率。
本发明一实施例的发光二极管面板包括第一基板、第二基板以及多个显示单元。第二基板与第一基板上下组立。显示单元配置于第一基板与第二基板之间,这些显示单元的其中一个具有多个第一区以及被这些第一区所环绕的第二区。显示单元包括多个第一发光二极管、多条控制信号线与第二发光二极管。第一发光二极管配置于第一基板上,且第一发光二极管的每N个构成一像素单元,且每一像素单元位于第一区的其中一者中,其中N为超过1的正整数。控制信号线配置于第一基板上,且分别朝向第一发光二极管延伸。第二发光二极管配置于第一基板上,位于第二区中,并被第一区围绕。第二发光二极管电性连接控制信号线的其中一条。
本发明一实施例的发光二极管面板的制作方法包括以下步骤。将多个第一发光二极管与第二发光二极管转置到第一基板上,使各第一发光二极管连接于第一基板上所配置的多条控制信号线。第一发光二极管的每N个构成一像素单元,且每一像素单元位于一第一区中,其中N为超过1的正整数。第二发光二极管位于一第二区中,且第二区被多个第一区环绕。进行修补步骤,将第二发光二极管连接到控制信号线的其中一条。形成修补光调变层于第二基板上。将第一基板与第二基板组立,使修补光调变层叠置于第二发光二极管上。
基于上述,本发明实施例的发光二极管面板除了预定显示用的第一发光二极管外还包括修补用的第二发光二极管且第二发光二极管的设置区被多个第一发光二极管的设置区包围。检测到预定显示用的第一发光二极管失效时,可以将第二发光二极管电性连接至失效的第一发光二极管的控制信号线,而以第二发光二极管取代失效的第一发光二极管。如此,可确保发光二极管面板的良率。此外,第二发光二极管可用于修补其周边多个第一发光二极管中的任一个,以达到良好的修补效率。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明一实施例的微发光二极管面板的上视示意图。
图2为本发明另一实施例的发光二极管面板的上市示意图。
图3为本发明一实施例的发光二极管面板的侧视示意图。
图4为本发明又一实施例的发光二极管面板的侧视示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910874200.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的