[发明专利]芯片的衬底的多次使用方法及红外探测器

说明书

本发明提出了一种芯片的衬底的多次使用方法及红外探测器，芯片的衬底的多次使用方法包括：在衬底上进行薄膜层的生长制备；将衬底的部分与薄膜层分离，得到分离后的衬底余材；其中，衬底余材可再进行至少一次薄膜层的生长制备。根据本发明的芯片的衬底的多次使用方法，在制备芯片时，衬底的部分与薄膜层分离后，衬底余材仍可再进行多次芯片加工，从而可有效降低衬底的材料浪费，降低了生产成本。而且，有效提高了芯片的加工效率，提高了芯片加工的便利性。

技术领域

本发明涉及红外探测技术领域，尤其涉及一种芯片的衬底的多次使用方法及红外探测器。

背景技术

红外焦平面探测技术具有光谱响应波段宽、可获得更多地面目标信息、能昼夜工作等显著优点，广泛应用于预警探测、情报侦察、毁伤效果评估以及农牧业、森林资源的调查、开发和管理、气象预报、地热分布、地震、火山活动，太空天文探测等领域。

在制备红外探测器芯片时，由于大尺寸衬底材料生长制备困难，相关技术中，衬底在红外探测器制备完成后需要完全去除，制备效率低，且造成浪费。

发明内容

本发明要解决的技术问题是，解决现有制备红外探测器芯片时，衬底材料浪费、生产效率低的问题。本发明提出了一种芯片的衬底的多次使用方法及红外探测器。

根据本发明实施例的芯片的衬底的多次使用方法，包括：

在所述衬底上进行薄膜层的生长制备；

将所述衬底的部分与所述薄膜层分离，得到分离后的衬底余材；

其中，所述衬底余材可再进行至少一次所述薄膜层的生长制备。

根据本发明实施例的芯片的衬底的多次使用方法，在制备芯片时，衬底的部分与薄膜层分离后，衬底余材仍可再进行多次芯片加工，从而可有效降低衬底的材料浪费，降低了生产成本。而且，有效提高了芯片的加工效率，提高了芯片加工的便利性。

根据本发明的一些实施例，在芯片制备完成后，或在所述薄膜层在所述衬底上生长制备完成后，将所述衬底的部分与所述薄膜层分离。

在本发明的一些实施例中，在所述衬底上进行薄膜层的生长制备的方法采用：液相外延法、分子束外延法或金属有机化合物气相外延法。

根据本发明的一些实施例，在将所述衬底的部分与所述薄膜层分离之前，在所述薄膜层的远离所述衬底的一侧设置防护层，所述防护层为光刻胶、粘接腊或环氧树脂胶。

在本发明的一些实施例中，在将所述衬底的部分与所述薄膜层分离之前，在所述薄膜层的远离所述衬底的一侧设置介质层。

根据本发明的一些实施例，所述介质层为宝石片、硅片或砷化镓。

在本发明的一些实施例中，将所述衬底的部分与所述薄膜层分离采用的方法为内圆切割法或丝切割法。

根据本发明的一些实施例，所述衬底余材的厚度不小于500微米。

在本发明的一些实施例中，所述芯片为红外探测器芯片，所述薄膜层为碲镉汞薄膜，所述衬底为碲锌镉衬底。

根据本发明实施例的红外探测器，包括芯片，所述芯片采用根据上述所述的衬底的多次使用方法制备。

根据本发明实施例的红外探测器，在制备芯片时，衬底的部分与薄膜层分离后，衬底余材进行继续加工，成为新的碲锌镉衬底，仍可再进行多次芯片加工，可以应用于外延生长制备碲镉汞薄膜材料，等同于一片碲锌镉衬底材料可以进行两次或多次用于制备碲镉汞薄膜材料，从而大大提高了碲锌镉晶体材料的利用率，有利于降低探测器制作成本。而且，有效提高了芯片的加工效率，提高了芯片加工的便利性。

附图说明

图1为本发明实施例的芯片的衬底的多次使用方法流程图；