[发明专利]单片集成的双工器在审
申请号: | 201910875873.X | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN110635778A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 孙成亮;徐沁文;蔡耀;邹杨;刘炎;谢英;周杰 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H03H9/56 | 分类号: | H03H9/56 |
代理公司: | 42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 郑勤振 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 兰姆波谐振器 双工器 带通滤波器 接收端 压电层 机电耦合系数 发射端 发射端滤波器 移动通讯设备 封闭式空腔 机械稳定性 单片集成 刻蚀沟槽 谐振频率 整个结构 负载层 电极 频段 晶圆 修整 匹配 带宽 制造 | ||
1.一种单片集成的双工器,其特征在于,包括位于同一衬底上的接收端带通滤波器和发射端带通滤波器,所述接收端带通滤波器和所述发射端带通滤波器包括一个或多个兰姆波谐振器和一个或多个体声波薄膜谐振器;所述体声波薄膜谐振器包括设置在所述衬底上的第一空腔,以及从下至上依次设置在所述第一空腔上方的第一底电极、第一压电层和第一顶电极,所述第一空腔通过贯穿所述第一底电极、所述第一压电层和所述第一顶电极的第一释放孔与外部连通;所述兰姆波谐振器包括设置在所述衬底上的第二空腔,以及从下至上依次设置在所述第二空腔上方的第二底电极、第二压电层和第二顶电极,所述第二空腔通过贯穿所述第二底电极、所述第二压电层和所述第二顶电极的第二释放孔与外部连通。
2.根据权利要求1所述的单片集成的双工器,其特征在于,部分所述体声波薄膜谐振器的所述第一顶电极和/或部分所述兰姆波谐振器的第二顶电极上具有质量负载层。
3.根据权利要求2所述的单片集成的双工器,其特征在于,所述兰姆波谐振器的所述第二压电层上具有多条沟槽。
4.根据权利要求3所述的单片集成的双工器,其特征在于,所述沟槽的截面形状为圆弧形、或矩形、或梯形。
5.根据权利要求1所述的单片集成的双工器,其特征在于,所述兰姆波谐振器的所述第二压电层上具有多条沟槽。
6.根据权利要求1所述的单片集成的双工器,其特征在于,所述第一底电极、所述第二底电极、所述第一顶电极和所述第二顶电极为平板电极或叉指电极。
7.根据权利要求1~6任一项所述的单片集成的双工器,其特征在于,不同的所述体声波薄膜谐振器的所述第一压电层的厚度不相同。
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