[发明专利]一种采用双离子源的IBE刻蚀机及刻蚀方法

权利要求书

1.一种采用双离子源的IBE刻蚀机，刻蚀机包括刻蚀腔室及安装在刻蚀腔室上的离子源；蚀刻腔室内设有用于放置晶圆的样品台；其特征在于：所述的刻蚀腔室分别布置两个离子源；当离子源进行纵向去除或侧墙清理或纵向去除与侧墙清理同时进行时，两个离子源发射出的离子束与样品台的晶圆中心轴线始终保持一定角度；所述的蚀刻腔室上设有至少一个倾斜的离子源安装面；该倾斜面为蚀刻腔室的顶部面；所述的离子源分成离子源一及离子源二；离子源一布置在倾斜面上，另一个离子源布置在蚀刻腔室的垂立面上；至少一个倾斜离子源安装面的蚀刻腔室内的样品台面向离子源进行倾斜翻转；通过样品台的倾斜翻转使其中心轴线与离子源一发射的离子束之间形成夹角记为θ₁；该夹角θ₁为15-45°；

通过样品台的倾斜翻转使其中心轴线与离子源二发射的离子束之间形成夹角记为θ₂；该夹角θ₂为35-80°。

2.根据权利要求1所述的采用双离子源的IBE刻蚀机，其特征在于：所述的蚀刻腔室上设有至少两个倾斜的离子源安装面；

所述的离子源分成离子源一及离子源二，两个倾斜的离子源安装面均为蚀刻腔室的顶部面；两个倾斜的离子源安装面相互组合布置；

所述的离子源分成离子源一及离子源二，两个倾斜的离子源安装面上分别布置离子源一及离子源二。

3.根据权利要求2所述的采用双离子源的IBE刻蚀机，其特征在于：所述的设有两个倾斜面的蚀刻腔室其内的样品台布置在倾斜盘上，倾斜盘的中心轴线与样品台的中心轴线一致；倾斜盘带动样品台倾斜，倾斜盘相对于蚀刻腔室的底端水平面其倾斜角度为0-50°。

4.根据权利要求2所述的采用双离子源的IBE刻蚀机，其特征在于：通过倾斜盘驱动使样品台相对于离子源一或离子源二形成夹角θ₁或夹角θ₂。

5.根据权利要求1所述的采用双离子源的IBE刻蚀机，其特征在于：所述的两个离子源所通入的气体为Ar、Kr、He惰性气体或为CH3OH、CH3COOH、CO/NH3、CH4/N2O或为上述气体的组合。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的采用双离子源的IBE刻蚀机的刻蚀方法，其特征在于：工作步骤如下：

1）、当启用离子源一进行工作时，则开启离子源一，保持与晶圆成一定角度进行刻蚀、清洗；工作结束后关闭离子源一；

2）、再启动离子源二保持与晶圆成一定角度进行刻蚀、清洗工作直至结束；

3）、当启动离子源一与离子源二时，先启动其一离子源进行作业并运行指定的作业时间；随后再开启另一离子源继续工作；

4）、根据步骤3）中当刻蚀、清洗完成后，先关闭其一离子源并等待一定时间，再次关闭另一离子源，工作结束。