[发明专利]阻性存储器单元

权利要求书

1.一种阻性存储器单元，包括：

相变材料的相变层；

阻性元件，与所述相变材料相接触；以及

双向阈值开关，不具有与所述相变材料的物理接触，所述阻性元件被放置在所述双向阈值开关与所述相变层之间。

2.根据权利要求1所述的阻性存储器单元，其中所述阻性元件具有基本上“L”型的截面。

3.根据权利要求1所述的阻性存储器单元，其中所述双向阈值开关至少部分地置于导电迹线上。

4.根据权利要求1所述的阻性存储器单元，其中所述双向阈值开关具有基本上平面的形状。

5.根据权利要求1所述的阻性存储器单元，其中所述双向阈值开关包括层的堆叠，所述堆叠包括上层和下层，所述上层和所述下层是导电层。

6.根据权利要求5所述的阻性存储器单元，其中所述导电层由碳制成。

7.根据权利要求5所述的阻性存储器单元，其中所述双向阈值开关包括基于锗和硒的合金层。

8.一种存储器器件，包括：

包括层级的互连网络；以及

多个存储器单元，位于所述互连网络的所述层级之间，所述多个存储器单元包括相变材料的相变层，所述相变材料的相变层由所述存储器单元中的每个存储器单元所共享，每个存储器单元进一步包括：

阻性元件，与所述相变材料相接触；以及

双向阈值开关，不具有与所述相变材料的物理接触，所述阻性元件被放置在所述存储器单元的所述双向阈值开关与所述相变层之间。

9.根据权利要求8所述的存储器器件，进一步包括：导电层，置于所述相变材料的层上，其中所述双向阈值开关具有下表面和上表面，并且所述下表面和所述上表面之间的距离基本上等于所述互连网络的所述层级中的一个层级的厚度的多倍。

10.根据权利要求8所述的存储器器件，其中所述互连网络的所述层级包括第一层级、第二层级和第三层级，并且所述多个存储器单元包括存储器单元的第一阵列和第二阵列，所述第一阵列位于所述互连网络的所述第一层级和所述第二层级之间，并且所述第二阵列位于所述互连网络的所述第二层级和所述第三层级之间。

11.根据权利要求8所述的存储器器件，其中每个阻性元件具有基本上“L”型的截面。

12.根据权利要求8所述的阻性存储器单元，其中所述互连网络的所述层级中的下层级包括导电迹线，并且每个存储器单元的所述双向阈值开关至少部分地置于所述导电迹线上。

13.根据权利要求8所述的存储器器件，其中每个双向阈值开关具有基本上平面的形状。

14.根据权利要求8所述的存储器器件，其中每个双向阈值开关包括层的堆叠，所述堆叠包括上层、中层和下层，其中所述上层和下层是导电层，所述中层是基于锗和硒的合金层。

15.一种方法，包括：

形成双向阈值开关；

形成置于所述双向阈值开关上的阻性元件；以及

形成与所述阻性元件相接触的相变材料的相变层，所述双向阈值开关不具有与所述相变材料的物理接触，并且所述阻性元件被放置在所述双向阈值开关与所述相变层之间。

16.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述双向阈值开关包括形成双向阈值开关的平面层，所述平面层覆盖导电迹线的下层级。