[发明专利]基于分子束外延生长大面积高稳定单层蓝磷烯的制备方法有效
| 申请号： | 201910876632.7 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110714224B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 蒋艺璇;司楠;周德春;黄寒;牛天超 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B23/06;C30B29/02;C30B33/02;C23C8/02;C23C8/12 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 凤婷 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 分子 外延 生长 大面积 稳定 单层 蓝磷烯 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.基于分子束外延生长大面积高稳定单层蓝磷烯的制备方法，其特征在于：包括以下步骤，
步骤1：对Cu(111)衬底进行氩离子刻蚀以及退火处理，氩离子刻蚀时间为12-15min，且保持氩气气压为1.5×10-5 mbar，能量为1.5keV，退火处理，操作过程为将氩离子刻蚀后的衬底，缓慢加热至650-700K并维持1-2min，以去除表面的杂质，得到洁净的Cu(111)衬底；
步骤2：对Cu(111)衬底进行氧化处理，维持衬底于温度650K，氧气气压为5×10-7 mbar中5min，得到氧化层Cu 2 O(111)衬底；
步骤3：以黑磷为前驱体，将黑磷源加热至260℃，衬底加热至360K，在Cu2O(111)衬底上分子束外延沉积磷原子3min，得到P/Cu2 O(111)；
步骤4：对P/Cu2O (111)缓慢加热至590K，并维持20-25min以进行升温以退火，得到大面积均匀单层蓝磷表面。
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