[发明专利]高频声波谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种高频声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述高频声波谐振器的制备方法包括如下步骤：

a)制备极低声阻部件；包括如下步骤：提供单层极低声阻材料层，所述单层极低声阻材料层即为所述极低声阻部件；

b)于所述极低声阻部件的上表面上形成压电膜；

c)于所述压电膜的上表面形成图案化上电极；

所述单层极低声阻材料层的材料包括：苯并环丁烯、聚二甲基硅氧烷、聚苯乙烯中的至少一种，所述压电膜的材料包括铌酸锂、铌酸钾、石英或氧化锌中的至少一种；所述极低声阻材料对于压电膜中所激发的弹性波的界面反射系数R大于90％，其中，Z1为所述压电膜对于所述压电膜所激发的弹性波的声阻抗，Z2为所述极低声阻材料对于所述压电膜所激发的弹性波的声阻抗。

2.根据权利要求1所述的高频声波谐振器的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述极低声阻部件的制备方法包括离子束剥离法、键合法、沉积法、外延法或旋涂法；步骤2)中形成所述压电膜的方法包括离子束剥离法、键合法、沉积法或外延法。

3.根据权利要求1所述的高频声波谐振器的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述图案化上电极包括第一固定部、第一叉指、第二固定部及第二叉指，所述第一固定部与所述第二固定部平行间隔排布；所述第一叉指垂直固定于所述第一固定部上；所述第二叉指垂直固定于所述第二固定部上；所述第一叉指和第二叉指等间距交替间隔平行排布于所述第一固定部与第二固定部之间。

4.根据权利要求3所述的高频声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述第一叉指距离所述第二固定部的间距与高频声波谐振器所激发的波长的比值为0.05～1，所述第二叉指距离所述第一固定部的间距与高频声波谐振器所激发的波长的比值为0.05～1。

5.根据权利要求1所述的高频声波谐振器的制备方法，其特征在于，步骤1)与步骤2)之间还包括于所述极低声阻部件的上表面形成底电极的步骤；步骤2)中形成的所述所述压电膜位于所述底电极的上表面。

6.一种高频声波谐振器，其特征在于，所述高频声波谐振器包括：

极低声阻部件，所述极低声阻部件包括单层极低声阻材料层；

压电膜，位于所述极低声阻部件的上表面上；

图案化上电极，位于所述压电膜的上表面；

所述单层极低声阻材料层的材料包括：苯并环丁烯、聚二甲基硅氧烷、聚苯乙烯中的至少一种，所述压电膜的材料包括铌酸锂、铌酸钾、石英或氧化锌中的至少一种；所述极低声阻材料对于压电膜中所激发的弹性波的界面反射系数R大于90％，其中，Z1为所述压电膜对于所述压电膜所激发的弹性波的声阻抗，Z2为所述极低声阻材料对于所述压电膜所激发的弹性波的声阻抗。

7.根据权利要求6所述的高频声波谐振器，其特征在于，所述图案化上电极包括第一固定部、第一叉指、第二固定部及第二叉指，所述第一固定部与所述第二固定部平行间隔排布；所述第一叉指垂直固定于所述第一固定部上；所述第二叉指垂直固定于所述第二固定部上；所述第一叉指和第二叉指等间距交替间隔平行排布于所述第一固定部与第二固定部之间。

8.根据权利要求7所述的高频声波谐振器，其特征在于，所述第一叉指距离所述第二固定部的间距与高频声波谐振器所激发的波长的比值为0.05～1，所述第二叉指距离所述第一固定部的间距与高频声波谐振器所激发的波长的比值为0.05～1。

9.根据权利要求6所述的高频声波谐振器，其特征在于，所述高频声波谐振器还包括底电极，所述底电极位于所述极低声阻部件和所述压电膜之间。