[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本公开提供一种半导体装置的制造方法，包含提供具有多个装置的集成电路基材，以及与装置耦合至集成电路的互连结构；在集成电路基材上形成第一保护层；在第一保护层上形成重分布层，重分布层电性相连至互连结构；在重分布层与第一保护层上形成第二保护层；在第二保护层上形成聚酰亚胺层；图案化聚酰亚胺层使聚酰亚胺层中有聚酰亚胺开口；以聚酰亚胺作为蚀刻遮罩，经由聚酰亚胺开口蚀刻第二保护层。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体装置的形成方法，且特别关于一种具有聚酰亚胺封装的半导体装置的形成方法。

背景技术

在半导体产业中，集成电路被形成于半导体基材上，并被裁切成集成电路芯片。每个集成电路芯片更进一步被连接(例如接合)到电路板，例如电子产品中的印刷电路板。在先前的技术中，多个芯片接合垫经由打线接合被连接到电路板。在先进的技术中，电路芯片被翻转并接合到电路板以减少成本。在这个技术中，一个或多个保护层被形成来保护集成电路。导电金属线的重分布层被形成于芯片上，以改变从边缘到芯片中心的接合连接路径。重分布层被嵌入在保护层中。接合垫被形成在保护层上，并经由重分布层与互连结构与多个装置电性连接以形成集成电路。现有的封装结构(包含重分布层、保护层与接合垫)及相对应的方法导致金属裂痕的问题(例如在测试、切割填充与封装的时候)，其进一步导致封装缺陷、线路失败或可靠性的问题。因此，本公开提供一种封装结构与方法来解决上述问题。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体装置的制造方法，其包括提供集成电路基材，具有多个装置与互连结构，互连结构耦合多个装置至集成电路上；形成第一保护层于集成电路基材上；形成重分布层于第一保护层上，重分布层电性连接至互连结构；形成第二保护层于重分布层与第一保护层上；形成聚酰亚胺层于第二保护层上；图案化聚酰亚胺层以形成聚酰亚胺开口于聚酰亚胺层中；及以聚酰亚胺层作为蚀刻遮罩，经由聚酰亚胺开口，蚀刻第二保护层。

本发明实施例提供一种半导体装置的制造方法，其包括提供集成电路基材，具有多个装置与互连结构，互连结构耦合多个装置至集成电路上；形成保护结构于集成电路基材上；涂布聚酰亚胺层于保护结构上，其中聚酰亚胺层含有超过50％的脂族酰胺(aliphatic amide,AA)或丁内酯(Gamma-Butyrolactone,GBL)；图案化聚酰亚胺层，以形成聚酰亚胺开口于聚酰亚胺层中；经由聚酰亚胺层的聚酰亚胺开口蚀刻保护结构；及形成接合垫于聚酰亚胺开口中。

本发明实施例提供一种集成电路结构，其包括集成电路结构，具有多个装置与互连结构，互连结构耦合多个装置至集成电路上；第一保护层于该集成电路结构上；重分布层于第一保护层上；第二保护层于重分布层上；聚酰亚胺层于第二保护层上，其中聚酰亚胺层含有超过50％的脂族酰胺或丁内酯；及接合垫部分嵌入于第二保护层中，并坐落于重分布层上。

附图说明

以下将配合所附图示详述本公开的各面向。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本公开的特征。

图1A、图1B、图1C、图1D与图1E是根据一些实施例示出多个制造阶段的集成电路结构剖面图。

图1F是根据一些实施例示出部分图1E的集成电路结构的俯视图。

图2是根据一些实施例示出图1E的集成电路结构制造方法的流程图。

图3A与图3B是根据一些实施例示出部分图1D的集成电路结构的剖面图。

图4是根据一些实施例示出图3B的集成电路结构中接合开口的侧壁表面斜面轮廓的概略图。

图5A与图5B图是根据一些实施例示出集成电路结构的剖面图。

图6是根据一些实施例示出图5A与图5B图的集成电路结构的制造方法的流程图。