[发明专利]一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法在审
申请号: | 201910877410.7 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN110501105A | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 江鹏;王铁军;李定骏;杨镠育 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G01L5/00 | 分类号: | G01L5/00;G01N21/64 |
代理公司: | 61200 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 陈翠兰<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 峰位 离子荧光 残余应力 传感层 等双轴 陶瓷层 单轴应力 热障涂层 荧光光谱仪 单轴加载 界面损伤 块体试样 无损测量 荧光信号 直接反馈 转换公式 预制 穿透 掺杂 测量 激光 发射 转换 激发 记录 | ||
1.一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)对纯YSZ:Eu3+块体试样进行单轴加载,获得Eu3+离子荧光峰位与单轴应力的关系;
2)根据平面等双轴应力和单轴应力转换公式,获得Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系;
3)在TBC界面上方陶瓷层内的易开裂区预制一层掺杂Eu2O3的YSZ:Eu3+层将其作为应力传感层;
4)采用荧光光谱仪发射532nm激光,从表面穿透TBC至界面YSZ:Eu3+应力传感层处,激发其荧光信号,并记录Eu3+离子荧光峰位信息;根据已获得的Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系,将测量得到的峰位转换成应力,从而得到YSZ:Eu3+应力传感层处的残余应力,此即为TBC界面附近陶瓷层残余应力。
2.根据权利要求1所述的一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法,其特征在于,步骤1)中,纯YSZ:Eu3+块体试样采用大气等离子喷涂法制备得到。
3.根据权利要求1所述的一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法,其特征在于,步骤2)中,Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系:
式中:v1——平面等双轴应力条件下TBC中Eu3+的跃迁峰峰位;v0——TBC未受载荷时Eu3+的跃迁峰峰位,其值为16508.49cm-1;∏——单轴应力状态下的频移系数。
4.根据权利要求1所述的一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法,其特征在于,步骤3)中,应力传感层的厚度为10-50微米。
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