[发明专利]一种纳米测量仪器校准用标准样板及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米测量仪器校准用标准样板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，利用原子层沉积工艺在基底表面沉积一层的Al₂O₃薄膜，得到第一结构，所沉积的Al₂O₃薄膜的厚度为纳米测量仪器校准用标准样板中校准结构z方向的高度值；

S2，在第一结构的Al₂O₃薄膜表面旋涂光刻胶，并进行烘干，得到第二结构；

S3，利用电子束直写的方式对第二结构的光刻胶进行曝光操作，曝光图案为纳米测量仪器校准用标准样板中校准结构在x方向和y方向对应的图案，得到第三结构；

S4，将第三结构在显影液中进行显影，然后进行后烘，得到第四结构；

S5，去除第四结构上显影部位残余的光刻胶，得到第五结构；

S6，采用腐蚀方法去除第五结构上未被光刻胶覆盖的Al₂O₃薄膜，得到第六结构；

S7，去除第六结构表面的剩余光刻胶，得到第七结构；

S8，将第七结构进行烘干得到所述纳米测量仪器校准用标准样板。

2.根据权利要求1所述的一种纳米测量仪器校准用标准样板的制备方法，其特征在于，在基底表面沉积一层的Al₂O₃薄膜前，先对所述基底进行预处理，预处理过程为：将基底分别在丙酮和酒精中浸泡并进行超声处理去除表面杂质，而后用去离子水冲洗干净，之后再进行烘干处理。

3.根据权利要求1所述的一种纳米测量仪器校准用标准样板的制备方法，其特征在于，S1中，沉积Al₂O₃薄膜时，Al₂O₃薄膜生长的速率为每个循环0.1nm，通过控制循环的次数，将Al₂O₃薄膜厚度控制在10nm到500nm之间。

4.根据权利要求1所述的一种纳米测量仪器校准用标准样板的制备方法，其特征在于，所述光刻胶采用聚甲基丙烯酸甲脂。

5.根据权利要求1所述的一种纳米测量仪器校准用标准样板的制备方法，其特征在于，S3中，纳米测量仪器校准用标准样板中校准结构为预设节距的栅格结构、预设的线宽结构或预设周期的点阵结构。

6.根据权利要求1所述的一种纳米测量仪器校准用标准样板的制备方法，其特征在于，S6包括如下过程：

将质量分数为70％浓度的磷酸水溶液进行水浴加热，加热至65℃-70℃，将第五结构放入所述磷酸水溶液中进行腐蚀，去除未被光刻胶覆盖的Al₂O₃薄膜，腐蚀结束后，用去离子水冲洗干净，得到第六结构。

7.根据权利要求6所述的一种纳米测量仪器校准用标准样板的制备方法，其特征在于，腐蚀时间根据Al₂O₃薄膜厚度确定，腐蚀速率为8-12nm/min。

8.根据权利要求1所述的一种纳米测量仪器校准用标准样板的制备方法，其特征在于，S7中，将第七结构分别在丙酮和酒精中浸泡并进行超声处理，从而去除表面杂质，而后用去离子水冲洗干净，得到第七结构。

9.根据权利要求1所述的一种纳米测量仪器校准用标准样板的制备方法，其特征在于，所述基底采用单晶硅片或石英片。

10.一种权利要求1-9任意一项所述制备方法制得的纳米测量仪器校准用标准样板。