[发明专利]功率半导体器件、其封装结构及其制作方法和封装方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件，包括设置于衬底(10)上的元胞区和终端区(30)，所述元胞区的部分和所述终端区(30)的部分位于所述衬底(10)中，所述终端区(30)环绕所述元胞区设置，所述功率半导体器件中的元胞区包括多个元胞，各所述元胞包括第一电极(210)和第二电极(220)，所述第一电极(210)和所述第二电极(220)位于所述衬底(10)的相对的两侧，其特征在于，在垂直于所述衬底(10)的方向上，所述第一电极(210)远离所述衬底(10)的一侧表面与所述第二电极(220)远离所述衬底(10)的一侧表面的距离为H₁，所述终端区(30)中与所述衬底(10)距离最大的一点与所述第二电极(220)远离所述衬底(10)的一侧表面的距离为H₂，H₁大于H₂，

所述衬底(10)具有台阶结构，所述台阶结构具有第一台阶面和第二台阶面，所述第二台阶面环绕所述第一台阶面，所述衬底(10)远离所述台阶结构的一侧具有第三表面，所述第一台阶面与所述第三表面之间的垂直距离为L₁，所述第二台阶面与所述第三表面之间的垂直距离为L₂，L₁＞L₂，所述第一电极(210)位于所述第一台阶面上，所述终端区(30)中突出于所述衬底(10)的部分位于所述第二台阶面上，所述第二电极(220)位于所述第三表面上，

所述终端区(30)突出于所述衬底(10)的部分高度为h₂，L₁≥h₂。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述L₁与所述L₂的差值为6～8μm。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一电极(210)远离所述衬底(10)的一侧表面与所述衬底(10)之间的距离为h₁，所述h₂与所述h₁的差值为1.5～2μm。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述终端区(30)包括：

多个场限环(310)，位于所述衬底(10)中；

多个场氧化层(320)，位于所述衬底(10)具有所述场限环(310)的一侧表面上，且各所述场限环(310)均对应连接有一个所述场氧化层(320)。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述元胞为IGBT元胞，所述IGBT元胞包括发射极和集电极，所述第一电极(210)为所述发射极的引出电极，所述第二电极(220)为所述集电极的引出电极。

6.一种功率半导体器件封装结构，包括功率半导体器件和键合部(40)，其特征在于，

所述功率半导体器件为权利要求1至5中任一项所述的功率半导体器件，经过所述功率半导体器件中终端区(30)的所述键合部(40)与所述终端区(30)隔离设置。

7.根据权利要求6所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述键合部(40)包括：

导电基板(430)，设置于所述第二电极(220)远离所述衬底(10)一侧表面；

引线框架(410)，所述引线框架(410)与所述第一电极(210)和所述导电基板(430)分别连接。

8.根据权利要求7所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述键合部(40)还包括位于所述第一电极(210)远离所述衬底(10)一侧的焊层(420)，所述焊层(420)用于连接所述第一电极(210)和所述引线框架(410)。