[发明专利]三维存储器及其驱动方法、及其驱动装置、及电子设备

说明书

本发明提供一种三维存储器及其驱动方法、及其驱动装置、及电子设备。三维存储器包括：存储区与设于所述存储区上的位线层，所述位线层包括多个间隔设置的位线，每个所述存储区包括至少两个存储块，所述至少两个存储块包括第一存储块与第二存储块，所述第一存储块与所述第二存储块内设有相同类型的沟道层，所述第一存储块上设有多个间隔设置的与所述沟道层类型相同的第一类栓塞，所述第二存储块上设有多个间隔设置的与所述沟道层类型不同的第二类栓塞，位于同一列的一个所述第一类栓塞与一个所述第二类栓塞连接于一条所述位线。本发明解决了两个存储块之间的间隔槽占用三维存储器的面积，使得三维存储器单位面积的存储密度较低的技术问题。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种三维存储器及其驱动方法、及其驱动装置、及电子设备。

背景技术

电荷俘获型三维存储器(CTM)由于高存储密度，高稳定性和成熟的制备工艺而成为存储器闪存(flash)主流结构。

三维存储器的两个存储块之间通过间隔槽进行间隔，间隔槽使得其中的一个存储块进行读、编程或者擦除等操作时，另一个存储块不受影响。然而两个存储块之间的间隔槽占用三维存储器的面积，使得三维存储器单位面积的存储密度较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种三维存储器及其驱动方法、及其驱动装置、及电子设备，以解决两个存储块之间的间隔槽占用三维存储器的面积，使得三维存储器单位面积的存储密度较低的技术问题。

本发明提供一种三维存储器，包括：存储区与设于所述存储区上的位线层，所述位线层包括多个间隔设置的位线，每个所述存储区包括至少两个存储块，所述至少两个存储块包括第一存储块与第二存储块，所述第一存储块与所述第二存储块内设有相同类型的沟道层，所述第一存储块上设有多个间隔设置的与所述沟道层类型相同的第一类栓塞，所述第二存储块上设有多个间隔设置的与所述沟道层类型不同的第二类栓塞，位于同一列的一个所述第一类栓塞与一个所述第二类栓塞连接于一条所述位线。

其中，位于同一列的所述第一类栓塞与所述第二类栓塞交替间隔连接于相邻的两条所述位线。

其中，所述三维存储器还包括多个连接体，一个所述第一类栓塞通过一个所述连接体连接于一条所述位线，一个所述第二类栓塞通过一个所述连接体连接于一条所述位线。

其中，每个所述第一类栓塞与每个所述第二类栓塞均包括第一端以及与所述第一端相对设置的第二端，多个所述连接体交替设于所述第一端与所述第二端。

其中，所述存储区包括：衬底、堆叠结构、电荷存储层以及沟道层，所述堆叠结构形成于所述衬底上，所述堆叠结构具有沟道孔，所述沟道孔内设有延伸至所述衬底的外延结构，所述电荷存储层形成在所述沟道孔的侧壁上，所述沟道层形成在所述电荷存储层与所述外延结构上，所述第一类栓塞形成在所述第一存储块的沟道层上，所述第二类栓塞形成在所述第二存储块的沟道层上。

其中，所述第一类栓塞为N型栓塞，所述第二类栓塞为P型栓塞，所述第一存储块与所述第二存储块的沟道层为N反型沟道层；或者，所述第一类栓塞为P型栓塞，所述第二类栓塞为N型栓塞，所述第一存储块与所述第二存储块的沟道层为P反型沟道层。

本发明提供一种上述三维存储器的驱动方法，包括：

在所述位线层上施加第一电压，在所述存储区的字线层上施加第二电压，所述第二电压与所述第一电压的压差大于或等于所述第一存储块的沟道层的导通电压，所述第一电压小于所述第二存储块的沟道层的导通电压；

调整所述第一电压以形成第三电压，使得所述第三电压大于或等于所述第二存储块的沟道层的导通电压，且使得所述第二电压与第三电压的压差小于所以述第一存储块的沟道层的导通电压。

其中，所述第一类栓塞为N型栓塞，所述第二类栓塞为P型栓塞，所述第一存储块与所述第二存储块的沟道层为N反型沟道层，其中，调整所述第一电压为增大所述第一电压。