[发明专利]一种半透膜法生产α高强石膏的方法有效
| 申请号： | 201910879080.5 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110550877B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 吴磊;赵志曼;全思臣;李丹;张毅;赵彬宇 | 申请（专利权）人： | 云南凝创环保科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B11/02 | 分类号： | C04B11/02 |
| 代理公司： | 北京贵都专利代理事务所(普通合伙) 11649 | 代理人： | 李新锋 |
| 地址： | 650000 云南省*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半透膜法 生产 高强 石膏 方法 | ||
1.一种半透膜法生产α高强石膏的方法，其特征在于，该方法具体步骤如下：
(1)将工业副产石膏原料和铵盐溶液投入溶解池中搅拌溶解；
(2)将溶解池中的溶液放入结晶池中，并投入转晶剂；
(3)向结晶池中的半透膜管道中通入自来水，等待结晶池中的硫酸钙结晶、沉淀；
(4)取出结晶池中的二水硫酸钙沉淀，烘干脱水，可得α高强石膏；
(5)将半透膜中的溶液在调整铵盐浓度后放入溶解池中；
(6)将干燥器中产生的水蒸气冷凝后，通入半透膜管道；其中，所述铵盐为氯化铵、柠檬酸三铵或碳酸氢铵，且铵盐中铵根离子的浓度为1.5～2mol/L；所述半透膜管中半透膜可通过孔径为0.3-0.5nm；所投入的转晶剂为硫酸铝、硫酸铝钾。
2.根据权利要求1所述的一种半透膜法生产α高强石膏的方法，其特征在于，所述原料是硫酸钙或脱硫石膏。
3.根据权利要求1所述的一种半透膜法生产α高强石膏的方法，其特征在于，结晶时间为0.5-1h。
4.根据权利要求1所述的一种半透膜法生产α高强石膏的方法，其特征在于，所述干燥器中干燥温度为145-200℃，干燥时间为2-3h。
5.根据权利要求1所述的一种半透膜法生产α高强石膏的方法，其特征在于，所述结晶池中半透膜管道中产生的低浓度铵盐溶液可循环使用。
6.根据权利要求1所述的一种半透膜法生产α高强石膏的方法，其特征在于，所述干燥器中产生的水蒸气冷凝后用于结晶池的半透膜管道中。
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