[发明专利]一种柔性多态磁性加持铁电调控特性的非易失存储器件

权利要求书

1.一种柔性多态磁性加持铁电调控特性的非易失存储器件，其特征在于：包括由下至上层叠设置的柔性衬底、磁性底电极、中间有机铁电薄膜层和磁性顶电极；所述柔性衬底的材料选自聚奈二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯乙二酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯及聚醚砜树脂；所述磁性底电极、磁性顶电极的材料选自磁性金属单质、磁性合金材料和导电磁性金属氧化物；所述中间有机铁电薄膜层的材料选自PVDF、P(VDF-TrFE)、Nylon-7、Nylon-11及β-Quinol–methanol Polymers。

2.根据权利要求1所述的柔性多态磁性加持铁电调控特性的非易失存储器件，其特征在于：所述磁性底电极和磁性顶电极的材料可选自磁性金属单质Co、Fe、Ni，磁性合金材料CoFeB、NiFe和磁性金属氧化物LSMO、Fe₃O₄。

3.根据权利要求1或2所述的柔性多态磁性加持铁电调控特性的非易失存储器件，其特征在于：所述柔性的磁性底电极和磁性顶电极厚度为1nm-10nm。

4.根据权利要求1或2所述的柔性多态磁性加持铁电调控特性的非易失存储器件，其特征在于：所述柔性衬底的材料为PEN；所述磁性底电极的材料为Fe₃O₄，所述磁性顶电极的材料为Co；所述中间有机铁电薄膜层的材料为P(VDF-TrFE)。

5.根据权利要求1所述的柔性多态磁性加持铁电调控特性的非易失存储器件，其特征在于：所述中间有机铁电薄膜层的厚度为5-50nm。

6.如权利要求1-5任一项所述柔性多态磁性加持铁电调控特性的非易失存储器件的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1)对柔性衬底进行清洗；

2)将磁性底电极通过磁控溅射法或热蒸发法沉积于柔性衬底上；

3)利用旋涂法在磁性底电极上制备有机铁电薄膜层；

4)利用磁控溅射法或或热蒸发法结合掩膜板方法在有机铁电薄膜层上生长磁性顶电极。

7.根据权利要求6所述柔性多态磁性加持铁电调控特性的非易失存储器件的制备方法，其特征在于：还包括步骤5)：采用磁控溅射法在磁性顶电极上覆盖铂电极层或铜电极层。

8.根据权利要求6所述柔性多态磁性加持铁电调控特性的非易失存储器件的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中，采用磁控溅射法时，工作气压为0.1-0.45Pa，溅射功率为20-100W，溅射时间为30min。

9.根据权利要求8所述柔性多态磁性加持铁电调控特性的非易失存储器件的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中，在磁性底电极上旋涂有机铁电薄膜，而后将薄膜快速退火，退火温度范围定为150℃至180℃，退火保温时间定为1～2h。