[发明专利]一种氮化镓上生长石墨烯提高LED透明导电及散热性的方法

权利要求书

1.一种氮化镓上生长石墨烯提高LED透明导电及散热性的方法，其特征在于：该方法的实施过程如下，

步骤1：氮化镓发光二极管芯片外延结构包括蓝宝石衬底(1)、u型氮化镓层(2)、n型氮化镓层(3)、有源层(4)和p型氮化镓层(5)，用丙酮煮沸清洗两遍去除氮化镓发光二极管芯片外延结构表面的有机物杂质，再用乙醇煮沸清洗两遍去除表面丙酮，去离子水冲洗30遍去除表面乙醇，再用氮气枪吹干氮化镓发光二极管芯片外延结构表面；

步骤2：在氮化镓发光二极管芯片外延结构的p型氮化镓层(5)上溅射2nm铂(6)做催化剂直接生长透明导电层的石墨烯(7)；

步骤3：在生长有石墨烯的衬底表面沉积一层金属薄膜，之后利用光刻工艺将金属薄膜腐蚀出图形；最后，用图形化后的金属薄膜作为掩膜，对衬底进行干法刻蚀，依次刻蚀掉没有金属薄膜的石墨烯(7)、铂(6)、p型氮化镓层(5)、有源层(4)，最终露出n型氮化镓层(3)；

步骤4：将金属薄膜用湿法腐蚀工艺腐蚀掉后，在衬底表面利用的“光刻—沉积电极—剥离”的半导体工艺在衬底表面制备出p电极和n电极；

沉积电极的方法是电子束蒸发或磁控溅射；

p电极和n电极的材料是钛金电极，或者是镍金电极，或者是镉金电极。

2.根据权利要求1所述的一种氮化镓上生长石墨烯提高LED透明导电及散热性的方法，其特征在于：金属掩膜区域的材料是镍、钴或镍铜合金。

3.根据权利要求1所述的一种氮化镓上生长石墨烯提高LED透明导电及散热性的方法，其特征在于：干法刻蚀采用ICP刻蚀，露出n型氮化镓层，形成n型台阶。