[发明专利]一种梁膜式PZT薄膜压电阵列打印头及其制造方法在审
申请号: | 201910879363.X | 申请日: | 2019-09-18 |
公开(公告)号: | CN110642219A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 邵金友;杨正杰;王春慧;田洪淼;平鹏祥;严超;王小培 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | B81B3/00 | 分类号: | B81B3/00;B81B7/02;B81C1/00;B41J2/14;B29C64/20;B29C64/209;B33Y30/00 |
代理公司: | 61215 西安智大知识产权代理事务所 | 代理人: | 贺建斌 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 分隔梁 刻蚀 打印头 振动膜 串扰 压电喷射 压力腔室 液体流道 光刻胶 下电极 电极 去除 电极图形 对准键合 喷射单元 喷射频率 压电阵列 喷嘴 电串扰 膜式 沉积 制造 | ||
一种梁膜式PZT薄膜压电阵列打印头及其制造方法,打印头包括多个压电喷射单元和设于相邻压电喷射单元之间的分隔梁,分隔梁降低了振动膜之间的机械串扰,并且隔绝了电极之间的电串扰,在提高喷射单元阵列密度与喷射频率的同时有效降低了串扰效应;制造方法先在第一基底上刻蚀出分隔梁,在第一基底上设有分隔梁的一面上生成振动膜,在振动膜上依次沉积下电极、PZT薄膜、上电极;依次刻蚀出上电极图形、PZT薄膜图形、下电极图形并去除光刻胶;在第一基底另一面刻蚀出压力腔室并去除光刻胶;在第二基底上刻蚀出液体流道与喷嘴;将第一基底上设有压力腔室的一面与第二基底上设有液体流道的一面对准键合;本发明打印头减少串扰效应的产生。
技术领域
本发明属于压电式微滴喷射打印技术领域,具体涉及一种梁膜式PZT薄膜压电阵列打印头及其制造方法。
背景技术
压电式微滴喷射打印技术在微电子制造与封装、平板显示、细胞打印、生物医学工程、3D打印等领域具有十分重要的应用,研发高效高精的压电阵列打印头对于提高微滴喷射的打印效率和打印精度具有重要的意义。采用PZT压电薄膜作为驱动元件的PZT薄膜压电阵列打印头,在理论上可获得更高的工作频率、更高的喷嘴阵列密度和更精确的喷射液滴体积,已成为高效高精压电阵列打印头的研发热点之一。但是随着PZT薄膜压电阵列打印头工作频率与喷嘴阵列密度的提高,会严重加剧相邻的压电喷射单元之间的电串扰、机械串扰等串扰效应,造成打印精度与打印质量的下降。降低串扰效应已成为进一步提升PZT薄膜驱动压电阵列打印头性能的关键。
在现有技术中,压电阵列打印头中所有压电喷射单元均采用完全独立的压电元件的结构设计已成为降低串扰效应的普遍措施,但是该方法只能在有限程度上降低电串扰效应,并不能有效降低高密度的相邻喷射单元之间的机械串扰。在此基础上,有采用增大相邻喷射单元间距或者空闲部分喷射单元(打印头每两个同时被驱动的喷射单元之间,存在数个不能驱动的空闲喷射单元)的方法来降低压电阵列打印头的机械串扰,但该方法会造成打印头的有效分辨率和有效打印速度的显著降低,进而造成打印精度与打印效率的下降。在打印头原有的结构设计不变的基础上,对其压电元件控制信号进行优化也是降低串扰效应的一种补充方法,例如中国专利CN102781671A提出,选择用于喷嘴的驱动信号、基于相邻驱动信号来确定时间延迟和脉宽扩展以及将该时间延迟和脉宽扩展施加于驱动信号来减少压电打印头中的串扰,该方法在一定程度上可能是行之有效的,但是也明显的引入了复杂的驱动电路与驱动信号设计,并且增加了对于驱动信号设计限制。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供了一种梁膜式PZT薄膜压电阵列打印头及其制造方法,减少串扰效应的产生。
为了实现上述目的,本发明采取的技术方案为:
一种梁膜式PZT薄膜压电阵列打印头,包括多个压电喷射单元1和设于相邻压电喷射单元1之间的分隔梁2,每个压电喷射单元1由PZT薄膜压电驱动器3和喷嘴板组成,每个PZT薄膜压电驱动器3包括第一基底9和分隔梁2之间形成的压力腔室8,或两个分隔梁2之间形成的压力腔室8,压力腔室8上部设有振动膜7,振动膜7上方依次设有下电极4、PZT薄膜5和上电极6;
喷嘴板包括第二基底11,第二基底11设有液体流道10,液体流道10上方和压力腔室8对应,液体流道10下方设有喷嘴12;
第二基底11和第一基底9键合,使喷嘴12与压力腔室8一一对应并相互连通;
所述的PZT薄膜5极化方向垂直于上电极6和下电极4;
梁模式结构中分隔梁2高度高于PZT薄膜压电驱动器3。
所述的PZT薄膜5的厚度为1μm~5μm。
所述的振动膜7材料为二氧化硅、氮化硅、二氧化硅与氮化硅组合或二氧化硅-硅-二氧化硅的组合。
所述的第一基底9、第二基底11为硅片或SOI。
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