[发明专利]晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管的制造方法，包括：

在衬底上形成碳纳米管；

在所述碳纳米管上形成栅叠层结构；

形成覆盖所述栅叠层结构的侧壁的侧墙；

形成至少覆盖所述侧墙的牺牲层；

形成覆盖所述碳纳米管与所述牺牲层的金属层，部分位于所述碳纳米管上的所述金属层作为与所述碳纳米管接触的电接触；

其中，覆盖所述碳纳米管的金属层的厚度大于至少部分覆盖所述牺牲层的金属层的厚度；通过刻蚀或腐蚀覆盖所述牺牲层的金属层，控制反应参数，使得刻蚀或腐蚀在暴露所述牺牲层时停止；以及采用湿法或干法刻蚀工艺去除所述牺牲层以暴露所述侧墙，

其中，当采用湿法或干法刻蚀工艺去除所述牺牲层时，所述牺牲层相比于所述碳纳米管、所述栅叠层结构、所述侧墙以及所述电接触具有不小于3:1的选择比。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，去除所述牺牲层的步骤包括：采用溶液溶解所述牺牲层，其中，覆盖所述牺牲层的金属层进入所述溶液中。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述溶液溶解所述牺牲层的速率大于溶解所述金属层的速率。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述溶液溶解所述牺牲层的速率大于溶解所述侧墙与所述栅叠层结构的速率。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述牺牲层还覆盖所述碳纳米管，形成所述金属层之前，所述制造方法还包括去除所述牺牲层的一部分以形成至少两个图形区域，其中，所述至少两个图形区域分别位于所述栅叠层结构的两侧，至少部分所述碳纳米管经所述图形区域暴露。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，至少在所述碳纳米管的表面，所述牺牲层的厚度大于所述金属层的厚度。

7.根据权利要求1-6任一所述的制造方法，其中，当所述侧墙的材料包括氧化硅时，所述牺牲层的材料包括氮化硅、非晶硅、有机材料以及具有高流动性的旋涂介质中的一种或组合；

当所述侧墙的材料包括氮化硅时，所述牺牲层的材料包括氧化硅、非晶硅、有机材料以及高流动性的旋涂介质中的一种或组合。

8.一种晶体管，利用如权利要求1-7任一所述的制造方法形成。