[发明专利]使用交叉写入分开晶片平面

权利要求书

1.一种固态设备，包括：

控制器；

非易失性存储器，所述非易失性存储器包括多个晶片，每个晶片包括第一平面和第二平面；

第一超平面块，所述第一超平面块由所述多个晶片的所述第一平面结构化；

第二超平面块，所述第二超平面块由所述多个晶片的所述第二平面结构化；和

多个存储器操作指令，所述多个存储器操作指令在被所述控制器执行时使所述控制器：

接收第一数据流；

将所述第一数据流写入所述第一超平面块；

接收第二数据流；

将所述第二数据流写入所述第二超平面块；

使所述第一超平面块的数据无效；以及

擦除所述第一超平面块而不导致所述第二超平面块的垃圾回收。

2.根据权利要求1所述的固态设备，其中所述多个存储器操作指令还使所述控制器将所述第一数据流的第一奇偶校验信息写入所述第一超平面块的XOR晶片的第一平面并且将所述第二数据流的第二奇偶校验信息写入所述第二超平面块的XOR晶片的第二平面。

3.根据权利要求1所述的固态设备，其中所述多个存储器操作指令还使所述控制器同时将所述第一数据流写入所述第一超平面块并且将所述第二数据流写入所述第二超平面块。

4.根据权利要求1所述的固态设备，其中所述多个晶片包括四层存储器单元。

5.根据权利要求1所述的固态设备，其中所述第一超平面块和所述第二超平面块形成可擦除单元。

6.根据权利要求1所述的固态设备，还包括逻辑页面高速缓存，其中所述多个存储器操作指令还使所述控制器将所述第一数据流刷新到所述第一超平面块并且将所述第二数据流刷新到所述第二超平面块。

7.一种固态设备，包括：

非易失性存储器，所述非易失性存储器包括具有多个平面的多个晶片；和

控制器，所述控制器耦接到所述非易失性存储器，所述控制器被配置为：

将所述非易失性存储器结构化成多个超平面块，每个超平面块跨越所述多个晶片的分开平面；

将多个数据流缓存到逻辑页面高速缓存；以及

以填充所述多个超平面块中的一个或多个的尺寸刷新所述逻辑页面高速缓存；以及

将多个数据流从所述逻辑页面高速缓存写入所述多个超平面块中；

其中所述多个数据流中的每个数据流被写入所述多个超平面块中的一个或多个分开的超平面块。

8.根据权利要求7所述的固态设备，其中被写入所述多个超平面块的数据流的数量等于或小于所述平面的数量。

9.根据权利要求7所述的固态设备，其中所述逻辑页面高速缓存选自主机高速缓存、SSD SRAM高速缓存、SSD DRAM高速缓存、SSD NAND闪存高速缓存以及它们的组合。

10.根据权利要求7所述的固态设备，其中所述非易失性存储器包括多个用户数据晶片和XOR晶片，其中所述控制器还被配置为：

将第一数据流的奇偶校验信息写入所述XOR晶片的第一平面；以及

将第二数据流的奇偶校验信息写入所述XOR晶片的第二平面。

11.根据权利要求10所述的固态设备，其中所述控制器还被配置为：

将所述非易失性存储器结构化成第一超平面块和第二超平面块，所述第一超平面块跨越每个用户数据晶片的第一平面并且所述第二超平面块跨越每个用户数据晶片的第二平面；

将所述第一数据流写入所述第一超平面块；以及

将所述第二数据流写入所述第二超平面块。

12.根据权利要求11所述的固态设备，其中所述第一数据流和所述第二数据流在所述多个用户数据晶片上交叉并且其中所述第一数据流的所述奇偶校验信息和所述第二数据流的所述奇偶校验信息在所述XOR晶片的所述第一平面和所述第二平面上交叉。