[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有若干伪栅极结构，所述伪栅极结构顶部具有初始第一保护层；

在衬底上形成初始第一介质层，所述初始第一介质层暴露出所述初始第一保护层顶部表面，且所述初始第一介质层表面齐平于所述初始第一保护层顶部表面；

回刻蚀所述初始第一介质层表面和所述初始第一保护层表面，使所述初始第一介质层减薄形成第一介质层，使所述初始第一保护层减薄形成第一保护层；

去除所述第一保护层，在所述第一介质层内形成第一开口；

在所述第一开口内以及第一介质层上形成第二保护层；

在所述第二保护层上形成掩膜结构，所述掩膜结构暴露出部分位于所述伪栅极结构顶部的所述第二保护层表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述回刻蚀工艺对所述初始第一介质层具有第一刻蚀速率，所述回刻蚀工艺对所述初始第一保护层具有第二刻蚀速率，所述第一刻蚀速率与第二刻蚀速率的比例0.9:1～1.1:1。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述回刻蚀工艺的气体包括CF₄和CHF₃，所述CF₄和CHF₃的体积比例范围为8:1～12:1。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述回刻蚀工艺包括温控感应系统，所述温控感应系统可以调节感应温度来调整局部刻蚀速率，所述回刻蚀工艺包括第一步骤和第二步骤，所述第一步骤的刻蚀气体包括C_XF₆，所述第二步骤的刻蚀气体包括SO₂和CH₃F，所述基于感应温度的可调节范围为±10摄氏度。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，回刻蚀所述初始第一保护层之后形成第一保护层，所述第一保护层的厚度范围包括：50埃～150埃。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一保护层的工艺包括干法刻蚀工艺；所述干法刻蚀工艺对所述第一保护层的刻蚀速率大于所述第一介质层的刻蚀速率。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的气体包括CH₃F。

8.如权利要求1或7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口底部在所述衬底表面的投影为第一投影，所述第一开口顶部在所述衬底表面的投影为第二投影，所述第一投影的面积小于或等于所述第二投影，且所述第一投影在所述第二投影范围内、或者所述第一投影与所述第二投影重合。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的材料包括氧化硅或氮化硅。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二保护层的材料包括氧化硅或氮化硅。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括氧化硅或氮化硅。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜结构包括硬掩膜层和位于硬掩膜层上的光刻胶层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：以所掩膜结构为掩膜刻蚀所述第二保护层，暴露出所述部分伪栅极结构顶部表面；去除所述部分伪栅极结构，在所述第一介质层内形成第二开口，所述第二开口暴露出部分所述衬底表面。