[发明专利]一种四环素光催化降解材料及其制备方法

权利要求书

1.一种四环素光催化降解材料，其特征在于：由三氧化二铁螺旋纳米线立方周期性排列而成，该纳米线的直径为3-7nm，具有12nm的均一大介孔。

2.如权利要求1所述的一种四环素光催化降解材料，其特征在于：其中所述材料的比表面积最高为176m².g^-1。

3.一种四环素光催化降解材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a、将9g表面活性剂P123、325ml去离子水和15ml浓度为37wt％的盐酸在35℃下混合，搅拌1-12h直到表面活性剂全部溶解并且分散均匀，然后加入9g正丁醇，搅拌2h后加入19.4g正硅酸四乙酯TEOS，水浴搅拌24h后将固体颗粒和反应溶液转移到聚四氟乙烯内衬中，接着35-140℃水热反应24h，自然冷却至室温后用去离子水洗涤至中性，70℃过夜干燥，即得到含表面活性剂的介孔氧化硅；

b、将得到的含表面活性剂的介孔氧化硅在空气中550℃煅烧6h，得到不含表面活性剂的介孔氧化硅；

c、以2g步骤b得到的介孔氧化硅为硬模板，将其分散到50ml的离心管中，加入0.1733-1.7338g硝酸铁在70-120℃鼓风干燥箱中溶解，待硝酸盐完全融化为液体后加入模板中,震荡离心管从而使硝酸盐溶液充分进入介孔氧化硅的孔道中，在70-100℃温度范围内持续加热震荡1-2h后，在空气中于500℃煅烧2-10小时，控制煅烧升温速率为0.5-2.5℃/min；

d、向煅烧后的产物中加入浓度为2-10M的NaOH溶液50-200ml，搅拌后离心过滤从而除去介孔氧化硅模板，即得到四环素光催化降解材料有序大介孔三氧化二铁。

4.如权利要求3所述的一种四环素光催化降解材料的制备方法，其特征是：步骤a中水热反应温度40-100℃。

5.如权利要求3所述的一种四环素光催化降解材料的制备方法，其特征在于：步骤c中溶解温度为70℃，升温速率为1℃/min，煅烧时间为6h。

6.如权利要求3所述的一种四环素光催化降解材料的制备方法，其特征在于：步骤d中的氢氧化钠溶液的浓度为2M。