[发明专利]平板探测器像素电路、平板探测系统及平板探测方法有效
申请号: | 201910881602.5 | 申请日: | 2019-09-18 |
公开(公告)号: | CN110672202B | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 解海艇;金利波;欧阳纯方;朱翀煜 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | G01J1/44 | 分类号: | G01J1/44;G09G3/32 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 施婷婷 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平板 探测器 像素 电路 探测 系统 方法 | ||
1.一种平板探测器像素电路,其特征在于,所述平板探测器像素电路至少包括:
复位开关、光敏二极管、源极跟随器、补偿开关及选择开关;
所述复位开关的第一端连接复位信号,控制端连接复位控制信号,第二端连接所述光敏二极管的阴极,所述光敏二极管的阳极连接偏置电压;
所述源极跟随器的第一端连接工作电压,控制端连接所述光敏二极管的阴极;
所述补偿开关的第一端连接所述源极跟随器的第二端,控制端连接所述复位控制信号,第二端输出补偿电流;
所述选择开关的第一端连接所述源极跟随器的第二端,控制端连接选择信号,第二端输出曝光前后的电流变化值。
2.根据权利要求1所述的平板探测器像素电路,其特征在于:所述复位开关、所述源极跟随器、所述补偿开关及所述选择开关采用非晶氧化物薄膜晶体管。
3.根据权利要求2所述的平板探测器像素电路,其特征在于:所述非晶氧化物包括非晶铟镓锌氧化物、非晶铟锌氧化物、非晶铟镓氧化物、非晶铟钨氧化物、非晶铟锡锌氧化物或非晶铝锌氧化物。
4.根据权利要求1所述的平板探测器像素电路,其特征在于:所述复位开关、所述源极跟随器、所述补偿开关及所述选择开关采用N型晶体管或P型晶体管。
5.一种平板探测系统,其特征在于,所述平板探测系统至少包括:
平板探测器,包括如权利要求1~4任意一项所述的平板探测器像素电路;
驱动电路,连接所述平板探测器;
补偿电流读出电路,连接所述平板探测器的输出端,用于读出补偿电流;
曝光前后的电流变化值读出电路,连接所述平板探测器的输出端,用于读出曝光前后的电流变化值;
数据处理电路,连接于所述补偿电流读出电路及所述曝光前后的电流变化值读出电路的输出端,基于所述补偿电流计算得到源极跟随器阈值电压的实际值,将所述阈值电压的实际值与初始值进行比较,并基于比较结果对所述曝光前后的电流变化值进行补偿。
6.根据权利要求5所述的平板探测系统,其特征在于:所述平板探测系统还包括图像显示器,连接于所述数据处理电路的输出端,基于所述数据处理电路的输出信号显示采集到的图像。
7.一种平板探测方法,采用如权利要求1~4任意一项所述的平板探测器像素电路,其特征在于,所述平板探测方法至少包括:
复位阶段:关闭选择开关,打开复位开关和补偿开关,光敏二极管的阴极接收复位信号,所述光敏二极管处于反偏状态,并将所述复位信号经过源极跟随器放大后输出,得到补偿电流;
曝光阶段:关闭选择开关、复位开关和补偿开关,源极跟随器工作于饱和区,完成曝光,所述光敏二极管的阴极电压发生变化;
读取阶段:打开选择开关,关闭复位开关和补偿开关,将所述光敏二极管的阴极电压变化值经由所述源极跟随器放大后输出,得到曝光前后的电流变化值。
8.根据权利要求7所述的平板探测方法,其特征在于:所述平板探测方法还包括:数据处理阶段:基于所述补偿电流计算得到源极跟随器阈值电压的实际值,将所述阈值电压的实际值与初始值进行比较,并基于比较结果对所述曝光前后的电流变化值进行补偿。
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