[发明专利]基片处理系统、阀板组件及其基片处理系统的工作方法在审
申请号: | 201910881841.0 | 申请日: | 2019-09-18 |
公开(公告)号: | CN112530829A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 雷仲礼;王谦 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 徐雯琼;张静洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 组件 及其 工作 方法 | ||
1.一种基片处理系统,其特征在于,包括:
第一腔,所述第一腔具有第一基片传输口;
第二腔,所述第二腔具有第二基片传输口;
位于所述第一腔与第二腔之间的密封壳,所述密封壳包括第一开口和第二开口,所述第一开口与第一基片传输口对应,所述第二开口与第二基片传输口对应,所述密封壳与第一基片传输口和第二基片传输口连通,所述第一基片传输口或所述第一开口周围设置第一台阶;
位于所述密封壳内的第一阀板;
位于所述密封壳内的第二阀板;
驱动装置,用于驱动所述第一阀板和/或第二阀板运动,使所述第一阀板密封所述第一台阶,和/或使所述第二阀板密封所述第二基片传输口。
2.如权利要求1所述的基片处理系统,其特征在于,当所述第一开口的开口面积大于第一基片传输口的开口面积时,所述第一阀板用于密封第一基片传输口或者第一开口周围的第一台阶。
3.如权利要求1所述的基片处理系统,其特征在于,当所述第一开口的开口面积小于等于第一基片传输口的开口面积时,所述第一阀板用于密封第一开口周围的第一台阶。
4.如权利要求1所述的基片处理系统,其特征在于,当所述第二开口的开口面积大于第二基片传输口的开口面积时,所述第二阀板用于密封第二基片传输口或第二开口。
5.如权利要求1所述的基片处理系统,其特征在于,当所述第二开口的开口面积小于等于第二基片传输口的开口面积时,所述第二阀板用于密封第二开口。
6.如权利要求1所述的基片处理系统,其特征在于,所述第二阀板的侧壁用于密封第二基片传输口。
7.如权利要求1所述的基片处理系统,其特征在于,所述第二基片传输口周围或者第二开口周围具有第二台阶,所述第二阀板用于密封第二台阶。
8.如权利要求1所述的基片处理系统,其特征在于,所述第一阀板与第二阀板的大小相同或者不同。
9.如权利要求1所述的基片处理系统,其特征在于,所述第一腔为工艺腔,所述第二腔为传输腔。
10.如权利要求9所述的基片处理系统,其特征在于,所述工艺腔的个数大于1个,所述大于1个的工艺腔环绕传输腔;各个所述工艺腔与传输腔之间均具有所述第一阀板、第二阀板和密封壳。
11.如权利要求1所述的基片处理系统,其特征在于,所述第一腔为气锁腔,所述第二腔为传输腔。
12.如权利要求1所述的基片处理系统,其特征在于,所述驱动装置包括动力装置和与动力装置连接的驱动杆;所述第一阀板和第二阀板固定于所述驱动杆上。
13.一种用于基片处理系统的阀板组件,其特征在于,包括:
第一阀板;
第二阀板;
包围所述第一阀板和第二阀板的阀外壳,所述阀外壳具有第一开口和第二开口,所述第一开口周围具有第一台阶;
驱动装置,用于使所述第一阀板运动以密封第一台阶,和/或使所述第二阀板运动以密封第二开口。
14.如权利要求13所述阀板组件,其特征在于,所述第二阀板的的侧壁密封第二开口。
15.如权利要求13所述阀板组件,其特征在于,所述第二开口周围设置有第二台阶,所述第二阀板用于密封第二台阶。
16.如权利要求13所述阀板组件,其特征在于,所述驱动装置使第一阀板向上移动以密封第一台阶,和/或使第二阀板朝向第二开口移动以密封第二开口。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司,未经中微半导体设备(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910881841.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:真空泵的性能测试方法与装置
- 下一篇:一种信号补偿方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造