[发明专利]半导体装置的平坦化方法及化学机械研磨浆料组合物

权利要求书

1.一种半导体装置的平坦化方法，包括：

接收一基板，该基板包括一装置、一第一金属层于该装置上、一介电层于该第一金属层上，该介电层具有暴露该第一金属层的一开孔、以及一第二金属层，该第二金属层包括于该介电层上的一第一部分和于该第一金属层上且穿过该开孔的一第二部分，第一部分包括一上部和比该上部接近该装置的一下部；

使用包括一第一氧化剂的一第一化学机械研磨浆料，研磨该第一部分的该上部；以及

使用包括一氧化剂组合体的一第二化学机械研磨浆料，研磨该第一部分的该下部，该氧化剂组合体包括一氧化剂与包围该氧化剂并键结该氧化剂的一络合剂，且该氧化剂组合体具有比该第一氧化剂更大的尺寸。

2.如权利要求1所述的半导体装置的平坦化方法，其中该第一化学机械研磨浆料和该第二化学机械研磨浆料包括不同的pH值。

3.如权利要求1所述的半导体装置的平坦化方法，其中该研磨该第一部分的该下部的步骤使用比该研磨该第一部分的该上部的步骤更高的一表面压力。

4.如权利要求1所述的半导体装置的平坦化方法，其中该第二化学机械研磨浆料的该氧化剂组合体中的该氧化剂的重量百分比，大于该第一化学机械研磨浆料中的该第一氧化剂的重量百分比。

5.一种半导体装置的平坦化方法，包括：

接收一基板，该基板包括一装置、于该装置上的一第一金属材料的一第一金属层、于该第一金属层上的一介电层、以及于该介电层上的一第二金属材料的一第二金属层，该第二金属层位于穿过该介电层的一开孔中且抵接该开孔下的该第一金属层；

对该第二金属层的一表面施加一第一化学机械研磨浆料，该第一化学机械研磨浆料包括一氧化剂组合体，该氧化剂组合体包括一氧化剂与包围该氧化剂并通过一非共价力键结到该氧化剂的一络合剂，该氧化剂具有足以氧化该第二金属材料的一氧化电位；以及

以该第一化学机械研磨浆料研磨该第二金属层。

6.如权利要求5所述的半导体装置的平坦化方法，其中该第二金属材料为钨且该氧化剂为一铁盐。

7.如权利要求6所述的半导体装置的平坦化方法，其中该络合剂为一羧酸。

8.如权利要求7所述的半导体装置的平坦化方法，其中在该第一化学机械研磨浆料中的该铁盐和该羧酸的一重量比例在1:1到1:10的范围内。

9.如权利要求6所述的半导体装置的平坦化方法，其中该第一化学机械研磨浆料包括在2wt％到7.5wt％的该铁盐。

10.如权利要求7所述的半导体装置的平坦化方法，其中该第一化学机械研磨浆料包括0.01wt％到2wt％的该羧酸。

11.如权利要求5所述的半导体装置的平坦化方法，还包括：

使用不同于该第一化学机械研磨浆料的一第二化学机械研磨浆料，移除该第二金属层的一上部。

12.如权利要求11所述的半导体装置的平坦化方法，其中该第二化学机械研磨浆料包括该氧化剂而不包括和该氧化剂络合的该络合剂。

13.如权利要求11所述的半导体装置的平坦化方法，其中该第二化学机械研磨浆料包括比该第一化学机械研磨浆料少0.5wt％的该氧化剂。

14.如权利要求11所述的半导体装置的平坦化方法，其中该移除该第二金属层的该上部的步骤使用比该研磨该第二金属层的步骤少1psi的一表面压力。

15.如权利要求5所述的半导体装置的平坦化方法，其中该第二金属材料为钴且该氧化剂包括铁(III)。

16.如权利要求5所述的半导体装置的平坦化方法，其中该络合剂为丙二酸。