[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910882267.0 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110911553A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 杰斯明·哈克;锺汤姆;滕忠健 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;G03F1/30 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李晔;李琛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
(a)提供一正型的光阻层于一基底上；
(b)经由一第一交替相移掩膜进行该光阻层的一第一图案化曝光，该第一交替相移掩膜包括一第一组平行不透明线，该第一组平行不透明线各自具有一第三宽度且在一第一透明基底上相对于该光阻层沿着一第一方向对齐，其中该第一组平行不透明线各自具有一第一透光区和一第二透光区，该第一透光区在该第一组平行不透明线的一侧具有一第一宽度，该第二透光区在该第一组平行不透明线的一第二侧具有一第二宽度，使得在该第一图案化曝光期间穿过该第一透光区和该第二透光区的光相移180°，且该第一透光区和该第二透光区在该第一透明基底上交替设置；
(c)在该第一图案化曝光之后，经由一第二交替相移掩膜进行该光阻层的一第二图案化曝光而不移除该基底，其中该第二交替相移掩膜包括一第二组平行不透明线，该第二组平行不透明线沿着一第二方向对齐，该第二方向与该第一方向正交，且该第二组平行不透明线形成于一第二透明基底上，且其中该第二组平行不透明线各自具有一第六宽度且具有一第三透光区和一第四透光区，该第三透光区在该第二组平行不透明线的一侧具有一第四宽度，该第四透光区在该第二组平行不透明线的一第二侧具有一第五宽度，使得穿过该第三透光区和该第四透光区的光相移180°，且该第三透光区和该第四透光区在该第二透明基底上交替设置；
(d)在该第二图案化曝光之后，对该基底进行该光阻层的一曝光后烘烤工艺；以及
(e)对该基底上的光阻层施加一显影液以移除多个第一图案化和第二图案化曝光区，且藉此形成一岛状物阵列，该岛状物阵列为该光阻层的未曝光区。
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