[发明专利]半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：

光束耦合结构，所述光束耦合结构包括相位延迟片和偏振耦合器，所述偏振耦合器包括第一入射方向和第二入射方向，所述相位延迟片位于所述第一入射方向；

至少两个出光单元，所述出光单元包括激光芯片、快轴准直透镜和慢轴准直透镜，所述激光芯片的出射光束依次经过所述快轴准直透镜和所述慢轴准直透镜，并入射至所述光束耦合结构，其中，一部分所述出光单元的出射光束经所述相位延迟片后，沿所述第一入射方向入射至所述偏振耦合器，另一部分所述出光单元的出射光束沿所述第二入射方向入射至所述偏振耦合器。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一入射方向和所述第二入射方向分别对应设置有相同数量的所述出光单元的出射光束。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括第一反射镜，所述激光芯片发射的光束依次经过所述快轴准直透镜和所述慢轴准直透镜，并入射至所述第一反射镜，改变光路方向后，入射至所述光束耦合结构。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述出光单元包括有合束反射镜、多个所述激光芯片以及与多个所述激光芯片分别一一对应的多个所述快轴准直透镜、多个慢轴准直透镜和多个所述第一反射镜，每一所述激光芯片的发射光束依次经过一个所述快轴准直透镜、一个所述慢轴准直透镜和一个所述第一反射镜，并入射至所述合束反射镜，其中多个所述激光芯片的发射光束在所述合束反射镜上合并，改变光路方向后，入射至所述光束耦合结构。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括输出光纤，所述光束耦合结构还包括聚焦透镜，所述偏振耦合器的出射光束经所述聚焦透镜聚焦，并耦合入射至所述输出光纤的输入端。

6.根据权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括封装基体，所述封装基体将所述光束耦合结构、所述至少两个出光单元和所述输出光纤的输入端固定耦合封装于一体，以构成封装体结构。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器，其特征在于，所述封装基体包括基底和多个凸台，多个所述凸台设置于所述基底，其中每一个所述第一反射镜对应设置于一个所述凸台。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，多个所述凸台是呈阶梯状分布。

9.根据权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，一个所述凸台设置有一个所述激光芯片、一个快轴准直透镜、一个慢轴准直透镜和一个第一反射镜。

10.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述快轴准直透镜和所述慢轴准直透镜之间的位置是相互可调的。