[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包括：底部端子；中间端子，其位于所述底部端子上方且通过高k介电层来与所述底部端子分离；顶部端子，其位于所述中间端子上方且通过所述高k介电层来与所述中间端子分离；以及氮化硅层，其位于所述顶部端子上方且直接位于所述高k介电层上。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。

背景技术

集成芯片的晶体管装置经配置以实现集成芯片的逻辑功能，例如电容器、电阻器、电感器、变容器或其它被动装置。

电容器为可用于存储电势能的晶体管装置中的一者。电容器还可用于阻断直流电，同时允许交流电通过、使电力供应器的输出平滑、调谐频率或稳定电压及功率流。

发明内容

根据本发明的一实施例，一种半导体结构包含：底部端子；中间端子，其位于所述底部端子上方且通过高k介电层来与所述底部端子分离；顶部端子，其位于所述中间端子上方且通过所述高k介电层来与所述中间端子分离；以及氮化硅层，其位于所述顶部端子上方且直接位于所述高k介电层上。

根据本发明的一实施例，一种半导体结构包含：底部端子；中间端子，其位于所述底部端子上方且通过高k介电层来与所述底部端子分离；顶部端子，其位于所述中间端子上方且通过所述高k介电层来与所述中间端子分离；通路，其穿透所述底部端子；以及间隔物，其位于所述通路的侧壁上。

根据本发明的一实施例，一种用于制造半导体结构的方法包含：在顶部金属层上方形成底部端子；在所述底部端子上方形成中间端子；在所述中间端子上方形成顶部端子；在所述底部端子与所述中间端子之间及所述中间端子与所述顶部端子之间形成高k介电层；在所述顶部端子上方形成氮化硅层；以及形成穿透所述底部端子的通路沟槽。

附图说明

在结合附图阅读时，从以下详细描述最佳理解本公开的方面。应注意，根据标准工业实践，各种构件未按比例绘制。事实上，为使论述清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1为根据本公开的一些实施例的半导体结构的剖面图。

图2展示表示根据本公开的一些实施例的制造半导体结构的方法的流程图。

图3A到图3K为根据本公开的一些实施例的制造操作的中间阶段期间的半导体结构的剖面图。

具体实施方式

以下公开提供用于实施所提供标的的不同特征的诸多不同实施例或实例。下文将描述组件及配置的特定实例以简化本公开。当然，这些仅为实例且不意在限制。例如，在以下描述中，使第一构件形成于第二构件上方或第二构件上可包括其中形成直接接触的所述第一构件及所述第二构件的实施例，且也可包括其中额外构件可形成于所述第一构件与所述第二构件之间使得所述第一构件及所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是为了简单及清楚，且其本身不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外，为便于描述，空间相对术语(例如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”及其类似者)在本文中可用于描述一元件或构件与另一(些)元件或构件的关系，如图中所绘示。空间相对术语除涵盖图中所描绘的定向之外，还意欲涵盖装置在使用或操作中的不同定向。可依其它方式定向设备(旋转90度或依其它定向)，且还可相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。