[发明专利]发光模块及其制造方法在审
申请号: | 201910883200.9 | 申请日: | 2019-09-18 |
公开(公告)号: | CN112530920A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 杨友财;李龙生 | 申请(专利权)人: | 均豪精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 刘彬 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光模块的制造方法,其特征在于,所述发光模块的制造方法包括:
实施一固晶步骤:将多个发光二极管芯片间隔地安装于一基板的一固晶面上;其中,相邻的任两个所述发光二极管芯片之间形成有一间隙,并且多个所述发光二极管芯片的顶面共同形成一顶平面;
实施一成形步骤:在所述基板的所述固晶面上成形有一光阻隔层,以使多个所述发光二极管芯片皆埋置于所述光阻隔层内,并且所述间隙填充所述光阻隔层;以及
实施一研磨步骤:其自所述光阻隔层的一顶缘开始研磨所述光阻隔层而形成一研磨顶缘。
2.依据权利要求1所述的发光模块的制造方法,其特征在于,所述研磨步骤在所述研磨顶缘至所述顶平面上方的一预定距离处而停止,以使多个所述发光二极管芯片皆埋置于所述光阻隔层内;其中,所述预定距离不大于30微米。
3.依据权利要求1所述的发光模块的制造方法,其特征在于,所述研磨步骤于研磨顶缘等高于所述顶平面或低于所述顶平面一预定距离处而停止,且所述预定距离不大于30微米。
4.依据权利要求1所述的发光模块的制造方法,其特征在于,在所述固晶步骤中,其中该间隙不大于500微米。
5.依据权利要求1所述的发光模块的制造方法,其特征在于,多个所述发光二极管芯片是选用微覆晶式发光二极管芯片或次毫米微覆晶式发光二极管芯片。
6.一种发光模块,其特征在于,所述发光模块包括:
一基板,包含有一固晶面;
多个发光二极管芯片,间隔地安装于所述基板的所述固晶面上,其中,相邻的任两个所述发光二极管芯片之间形成有一间隙,并且多个所述发光二极管芯片的顶面共同形成一顶平面;以及
一光阻隔层,形成于所述基板的所述固晶面上,并且多个所述发光二极管芯片之间的所述间隙填充所述光阻隔层,其中,所述光阻隔层具有一研磨顶缘。
7.依据权利要求6所述的发光模块,其特征在于,所述光阻隔层具有一顶缘,并自所述顶缘开始对所述光阻隔层进行一研磨作业而形成所述研磨顶缘,使得所述研磨顶缘与所述顶平面相距一预定距离,且研磨后的所述预定距离不超过30微米,而多个所述发光二极管芯片皆埋置于所述光阻隔层内。
8.依据权利要求6所述的发光模块,其特征在于,所述光阻隔层具有一顶缘,并自所述顶缘开始对所述光阻隔层进行一研磨作业而形成所述研磨顶缘,且经所述研磨作业后,多个所述发光二极管芯片的所述顶面皆裸露且共平面于所述研磨顶缘。
9.依据权利要求8所述的发光模块,其特征在于,每个所述发光二极管芯片的所述顶面经所述研磨作业而形成一研磨面,而共平面于所述研磨顶缘。
10.依据权利要求6所述的发光模块,其特征在于,所述间隙不大于500微米。
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