[发明专利]利用氧化物和TiN实现自对准四重图形技术工艺设计的优化

权利要求书

1.利用氧化物和TiN实现自对准四重图形技术(SAQP)工艺设计的优化，其特征在于，包括如下步骤：

将SiON和SoC共同组成芯轴材料，芯轴材料与介质层材料之间沉积一层ploy材料；

两层间隔材料分别采用氧化物、TiN，氧化物首先被沉积在芯轴材料上刻蚀形成的芯轴上形成第一层间隔，去除芯轴，保留第一层间隔，随后在氧化物的形成的第一层间隔上沉积TiN形成第二层间隔，之后去除第一层间隔，保留第二层间隔；

将第二层间隔形成的图形传递到ploy材料层，在ploy材料层刻蚀完成之后，再将ploy材料层刻蚀形成的图案传递到介质材料层刻蚀，最终完成。

本发明采用TiN作为间隔材料和poly层修饰图形形貌能够显著的提高最终图形特征尺寸的均匀性，同时对间隔厚度控制可以获得更小的特征尺寸。

2.根据权利要求1所述利用氧化物和TiN实现自对准四重图形技术(SAQP)工艺设计的优化，其特征在于，所述介质层材料包括金属介质层，所述金属介质层下方依次有氮化硅层，硅衬底。

3.根据权利要求1所述利用氧化物和TiN实现自对准四重图形技术(SAQP)工艺设计的优化，其特征在于，在SiON之上旋涂光刻胶，在光刻胶曝光显影过程中充当抗反射涂层，抑制光刻时产生的驻波效应。