[发明专利]一种平板探测器及其制造方法

说明书

本发明提供一种平板探测器及其制造方法，一种平板探测器包括具有半导体层的TFT器件、覆盖TFT器件的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的层间绝缘层、位于层间绝缘层上且与TFT器件连接的阴极电极、位于阴极电极上的光电转换层；还包括位于层间绝缘层上的阻挡层；至少部分所述阻挡层呈浮动状态，至少部分所述阻挡层位于所述半导体层的正上方。本发明平板探测器上设置阻挡层，至少部分阻挡层位于半导体层的正上方，阻挡层可以阻挡光电转换层形成时氢气扩散对半导体层的影响、也可以阻挡X射线或环境光对半导体层的影响。

技术领域

本发明涉及平板探测器的技术领域，尤其涉及一种平板探测器及其制造方法。

背景技术

平板探测器的X线先经荧光介质材料转换成可见光，再由光敏元件将可见光信号转换成电信号，最后将模拟电信号经A/D转换成数字信号。

如图1所示，平板探测器包括栅极10、覆盖栅极10的栅极绝缘层20、位于栅极绝缘层20上的半导体层30、覆盖半导体层30的刻蚀阻挡层40、穿过刻蚀阻挡层40均与半导体层30接触的源极51和漏极52、覆盖源极51和漏极52的第一绝缘层60、位于第一绝缘层60上的层间绝缘层70、位于层间绝缘层70上且穿过第一绝缘层60和层间绝缘层70后与漏极52连接的阴极电极80、位于阴极电极80上的光电转换层（PIN,Photo Diode）90以及位于光电转换层90上的阳极电极100。

半导体层30在制作过程中需要隔绝氢离子，以防止半导体材料的特性发生变化。在光电转换层90制作过程中，需要用到大量的氢气，如果氢离子扩散进半导体层30，严重的情况下会造成TFT器件失效。

平板探测器需要将检测面板置于X光或者可见光下进行照射，环境光照射到半导体层30上，因光照导致TFT漏电流增加，Vth漂移，降低光电探测器的检测灵敏度，提高噪声的干扰。

发明内容

本发明的目的在提供一种阻挡各种物质对半导体层影响的平板探测器及其制造方法。

本发明提供一种平板探测器，其包括具有半导体层的TFT器件、覆盖TFT器件的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的层间绝缘层、位于层间绝缘层上且与TFT器件连接的阴极电极、位于阴极电极上的光电转换层；还包括位于层间绝缘层上的阻挡层；至少部分所述阻挡层呈浮动状态，至少部分所述阻挡层位于所述半导体层的正上方。

本发明还提供一种平板探测器，其包括具有半导体层的TFT器件、覆盖TFT器件的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的层间绝缘层、位于层间绝缘层上的第二绝缘层、位于第二绝缘层上且与TFT器件连接的阴极电极、位于阴极电极上的光电转换层；其特征在于，还包括位于层间绝缘层和第二绝缘层之间的阻挡层；至少部分所述阻挡层位于所述半导体层的正上方，至少部分所述阻挡层位于所述光电转换层的下方。

进一步地，所述阻挡层呈直线状。

进一步地，所述阻挡层包括呈直线状的第一阻挡体以及与第一阻挡体一端连接且靠近光电转换层的第二阻挡体，所述第一阻挡体和第二阻挡体之间的夹角为钝角。

进一步地，所述阻挡层包括呈直线状的第一阻挡体、与第一阻挡体一端连接的第二阻挡体以及与第一阻挡体另一端连接的第三阻挡体，第一阻挡体分别与第二阻挡体和第三阻挡体之间的夹角为钝角。

进一步地，所述阻挡层的形成材料与所述阴极电极的材料相同。

本发明还提供一种平板探测器的制造方法，包括如下步骤：

S1：形成TFT器件；

S2：形成覆盖TFT器件的第一绝缘层；

S3：第一绝缘层上铺设层间绝缘层并形成位于TFT器件上的接触孔；

S4：在层间绝缘层采用阴极金属材料同时形成阻挡层和阴极电极，且阴极电极通过接触孔与TFT器件连接；