[发明专利]一种压阻式高频高温动态压力传感器有效
申请号: | 201910885183.2 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN110553765B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 赵浩;冯浩;丁立军;李洪武;徐杨;聂曼;马如远;沈丽尧;周丽;王成贤;王挺;陈晟;许聚武 | 申请(专利权)人: | 嘉兴学院 |
主分类号: | G01L1/18 | 分类号: | G01L1/18 |
代理公司: | 北京贵都专利代理事务所(普通合伙) 11649 | 代理人: | 李新锋 |
地址: | 314001 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压阻式 高频 高温 动态 压力传感器 | ||
本发明涉及传感器技术领域,且公开了一种压阻式高频高温动态压力传感器,包括传感器壳体、传感器连接管和液体连接管,传感器连接管固定设置于传感器壳体的下侧,传感器壳体通过传感器连接管与液体连接管插接,传感器连接管与液体连接管之间设有密封机构,液体连接管的管壁上侧固定设有卡环,传感器壳体的外壁活动套设有移动环,移动环的下表面左右两侧均设有拉杆,两个拉杆远离移动环的下端均固定设有拉块,两个拉杆的下端均通过拉块与卡环卡接,传感器壳体的外部且位于移动环的上侧设有内螺纹环。该压阻式高频高温动态压力传感器,能够将传感器连接管和液体连接管快速安装,提高了压阻式高频高温动态压力传感器的安装效率。
技术领域
本发明涉及传感器技术领域,具体为一种压阻式高频高温动态压力传感器。
背景技术
始于20世纪70年代后期的MEMS技术使得先进的硅压阻压力传感器越做越小,从而硅压阻力敏元件有了更高的固有频率。美国Kulite公司和Endevco公司采用这一技术制成的微型方膜片实现了压阻压力传感器的小型化和芯片高固有频率,但它们未解决全齐平封装问题,同时此种封装也无法解决爆炸中的强光干扰,因此不得不在使用时卸下芯片封装前方的激光成形保护网膜适应高频动态测量,从而造成测量中的极高损坏率或一次性使用。
其中专利号为CN102072795B,公开了一种压阻式高频高温动态压力传感器,由压阻敏感组件、传感器金属壳体和高频宽带放大器组成,压阻敏感组件由硅压阻敏感元件和玻璃环片组成,硅压阻敏感元件由圆平硅膜片形成,圆平硅膜片正面依次覆盖SiO2层和Si3N4层,硅压阻敏感元件正面中部设有惠斯顿电桥而周部裸露出硅膜片后焊固于玻璃环片的一面,硅压阻敏感元件反面形成金属反光膜,惠斯顿电桥上应变电阻用丝内引线引出,璃环片另一面固定于陶瓷隔离基座上环形凹坑面,陶瓷隔离基座又烧结固定于传感器金属壳体的进压端口,压阻敏感组件上金丝内引线引入到传感器内腔室中的转接板后,经过高频宽带放大器信号放大,由传感器尾部输出电缆引出,本发明能在承受超高温和超高频冲击下仍然具有良好特性。
但是上述专利中的压阻式高频高温动态压力传感器在于外部的连接管安装时,存在不方便安装的问题,增加了工作人员的劳动强度,从而降低了压力传感器的实用性。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种压阻式高频高温动态压力传感器,具备能够将传感器连接管和液体连接管快速安装,提高了压阻式高频高温动态压力传感器的安装效率等优点,解决了压阻式高频高温动态压力传感器在于外部的连接管安装时,存在不方便安装的问题,增加了工作人员的劳动强度,从而降低了压力传感器的实用性的问题。
(二)技术方案
为实现上述的目的,本发明提供如下技术方案:一种压阻式高频高温动态压力传感器,包括传感器壳体、传感器连接管和液体连接管,所述传感器连接管固定设置于传感器壳体的下侧,所述传感器壳体通过传感器连接管与液体连接管插接,所述传感器连接管与液体连接管之间设有密封机构,所述液体连接管的管壁上侧固定设有卡环,所述传感器壳体的外壁活动套设有移动环,所述移动环的下表面左右两侧均设有拉杆,两个所述拉杆远离移动环的下端均固定设有拉块,两个所述拉杆的下端均通过拉块与卡环卡接,所述传感器壳体的外部且位于移动环的上侧设有内螺纹环,所述传感器壳体的外壁设置有螺纹,所述内螺纹环通过螺纹与传感器壳体的外壁螺纹连接,所述内螺纹环的下侧与移动环的上侧可转动连接,所述传感器壳体的外壁且位于内螺纹环的上侧活动套接有转动环,所述转动环的下侧与内螺纹环的上侧固定连接。
优选的,所述移动环的下侧且与拉杆的位置对应处开设有条形槽,所述条形槽的内部横向设有限位滑杆,所述限位滑杆的两端分别与条形槽的左右两侧固定连接,所述条形槽的内部滑动设有移动块,所述移动块的侧壁开设有限位滑孔,所述移动块通过限位滑孔与限位滑杆的杆壁滑动连接,所述限位滑杆的杆壁且位于移动块的右侧活动套接有弹簧,所述弹簧的左端与移动块的由侧壁固定连接,所述弹簧的右端与和条形槽的右侧壁固定连接。
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