[发明专利]一种基于钙钛矿的柔性阻变存储器件制备方法

权利要求书

1.一种基于钙钛矿的柔性阻变存储器件制备方法，其特征在于：包括

1)：二甲基甲酰胺溶液中加入PbX₂制备PbX₂溶液；

2)：甲醇溶液中加入CsX₂制备CsX₂溶液；

3)：PbX₂溶液旋涂在衬底上并退火制备PbX₂薄膜；

4)：PbX₂薄膜置于CsX₂溶液中生长并退火制备CsPbX₃薄膜；

5)：CsPbX₃薄膜上镀Ag电极制得柔性阻变存储器件。

2.根据权利要求1所述的基于钙钛矿的柔性阻变存储器件制备方法，其特征在于：所述1)中，PbX₂溶液质量浓度为300-400g/L，制备条件为50℃-80℃下磁力搅拌0.5-1.5h并于0.2-0.4μm孔径过滤器过滤。

3.根据权利要求1所述的基于钙钛矿的柔性阻变存储器件制备方法，其特征在于：所述2)中，CsX₂溶液质量浓度为10-30g/L，制备条件为30℃-70℃下磁力搅拌0.5-1.5h。

4.根据权利要求1所述的基于钙钛矿的柔性阻变存储器件制备方法，其特征在于：所述3)中衬底制备方法包括

3.1 过滤PEDOT:PSS溶液；

3.2 将涂有ITO的PET基底超声清洗，氮气吹干，臭氧清洗；

3.3 将PEDOT:PSS旋涂在所述涂有ITO的PET基底形成衬底。

5.根据权利要求4所述的基于钙钛矿的柔性阻变存储器件制备方法，其特征在于：所述3.1中，过滤所用设备孔径为0.3-0.5μm；所述3.2中超声清洗方式为依次在洗涤精水、去离子水、无水乙醇中超声15-45min；所述臭氧清洗时间为10-30min。

6.根据权利要求4所述的基于钙钛矿的柔性阻变存储器件制备方法，其特征在于：所述3.3中旋涂转速为3000-4000rpm，旋涂时间为10-40s。

7.根据权利要求1所述的基于钙钛矿的柔性阻变存储器件制备方法，其特征在于：所述3)中旋涂温度为50-80℃，旋涂转速为3000-4000rpm，退火温度为50-90℃，退火时间为10-30min。

8.根据权利要求1所述的基于钙钛矿的柔性阻变存储器件制备方法，其特征在于：所述4)中制备CsPbX₃薄膜条件为：

4.1 PbX₂薄膜置于CsX₂溶液中，保持温度为30-70℃，生长5-20分钟，制备CsPbX₃薄膜前驱体；

4.2 CsPbX₃薄膜前驱体放入异丙醇中保持5-30s；

4.3 氮气吹扫CsPbX₃薄膜前驱体；

4.4 50-90℃下退火20-40min制备CsPbX₃薄膜。

9.根据权利要求1所述的基于钙钛矿的柔性阻变存储器件制备方法，其特征在于：所述5)包括

5.1：将掩膜板盖在CsPbX₃薄膜上；

5.2：在真空中加热Ag源形成银蒸气流，入射CsPbX₃薄膜表面凝固形成Ag薄膜；

5.3：持续蒸镀50-150nm厚的Ag薄膜形成Ag电极。

10.根据权利要求1-9所述的基于钙钛矿的柔性阻变存储器件制备方法，其特征在于：所述X为Cl、Br或I任一元素。