[发明专利]晶体管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管结构制造方法，包括：

在衬底上形成鳍；

在所述鳍上形成栅极介电堆叠件，其中，所述栅极介电堆叠件包括设置在界面介电层上的高k介电层；

将所述高k介电层浸在氟基气体中；以及

在所述高k介电层上沉积覆盖层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氟基气体包括氟气(F₂)、三氟化氮(NF₃)、三氟甲烷(CHF₃)、四氟甲烷(CF₄)、六氟化硫(SF₆)、六氟乙烷(C₂F₆)或它们的组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述高k介电层浸在所述氟基气体中包括在约70℃和约950℃之间的温度下加热所述衬底。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述高k介电层浸在所述氟基气体中包括在约0.5Torr和约150Torr之间的环境压力下浸渍所述高k介电层。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述覆盖层上沉积功函层；以及

将所述功函层浸在所述氟基气体中。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在沉积所述功函层之前：

在所述覆盖层上沉积阻挡层；以及

在约70℃和约950℃之间的温度下将所述阻挡层浸在所述氟基气体中。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在所述阻挡层上沉积牺牲阻挡层；

在约70℃和约550℃之间的温度下退火所述衬底；以及

去除所述牺牲阻挡层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在沉积所述覆盖层之前：

在所述高k介电层上沉积牺牲阻挡层；

在约70℃和约550℃之间的温度下退火所述衬底；以及

去除所述牺牲阻挡层。

9.一种晶体管结构，包括：

衬底；

鳍，位于所述衬底上；

栅极介电堆叠件，位于所述鳍上，其中，所述栅极介电堆叠件包括：

界面介电层；以及

高k介电层，位于所述界面介电层上，其中，所述高k介电层的氟浓度介于约0.01原子％和约35原子％之间；以及

一个或多个功函层，位于所述栅极介电堆叠件上。

10.一种晶体管结构制造方法，包括：

在设置在衬底上的鳍上形成界面电介质；

在所述界面电介质上沉积高k介电层；

在所述高k介电层上沉积一个或多个功函层；

将所述衬底加热至介于约70℃和约950℃之间的温度；以及

将所述一个或多个功函层中的至少一个功函层浸在氟基气体中，同时加热所述衬底。